| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 半导体光催化简介 | 第9-11页 |
| 1.2.1 光催化反应机理 | 第9-10页 |
| 1.2.2 影响光催化分解水的主要因素 | 第10-11页 |
| 1.3 半导体光催化剂 | 第11-17页 |
| 1.3.1 半导体光催化材料改性的主要方法 | 第12-13页 |
| 1.3.2 半导体光催化异质结的分类 | 第13-16页 |
| 1.3.3 过渡金属硫族化合物及异质结 | 第16-17页 |
| 1.4 二维层状MoO_2与WO_2的结构特性 | 第17-19页 |
| 1.5 选题依据与主要内容 | 第19-21页 |
| 第2章 第一性原理计算方法简介 | 第21-28页 |
| 2.1 方法概述 | 第21-22页 |
| 2.2 近似处理 | 第22-23页 |
| 2.2.1 波恩-奥本海默(Born-Oppenheimer)近似 | 第22页 |
| 2.2.2 单电子近似与平均场近似 | 第22-23页 |
| 2.3 Hartree-Fock方法 | 第23页 |
| 2.4 密度泛函理论方法 | 第23-27页 |
| 2.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第23-24页 |
| 2.4.2 Kohn-sham方程 | 第24-25页 |
| 2.4.3 交换关联泛函 | 第25-26页 |
| 2.4.4 范德瓦尔斯力的修正 | 第26-27页 |
| 2.5 光学性质的计算 | 第27-28页 |
| 第3章 MoO_2/WO_2面间异质结光催化特性研究 | 第28-35页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 计算方法 | 第28页 |
| 3.3 MoO_2/WO_2面间异质结的晶体结构 | 第28-30页 |
| 3.4 MoO_2/WO_2面间异质结的电子结构 | 第30-32页 |
| 3.5 MoO_2/WO_2面间异质结的光催化性质 | 第32-34页 |
| 3.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 MoO_2/WO_2面内异质结光催化特性研究 | 第35-41页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 计算方法 | 第35页 |
| 4.3 MoO_2/WO_2面内异质结的晶体结构及稳定性 | 第35-37页 |
| 4.4 MoO_2/WO_2面内异质结的电子结构 | 第37-39页 |
| 4.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第5章 总结与展望 | 第41-43页 |
| 5.1 总结 | 第41页 |
| 5.2 展望 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 攻读硕士期间发表学术论文 | 第49页 |
