| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 电力电子技术与功率器件 | 第9-11页 |
| 1.3 宽禁带半导体材料 | 第11-15页 |
| 1.3.1 Si材料的局限与宽禁带半导体材料的需求 | 第11页 |
| 1.3.2 常见的宽禁带半导体材料 | 第11-15页 |
| 1.4 基于Ga_2O_3的肖特基二极管发展现状 | 第15-18页 |
| 1.5 选题意义与研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 β-Ga_2O_3材料特性及其功率器件理论 | 第19-34页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 β-Ga_2O_3材料特征及其电学特性 | 第19-24页 |
| 2.2.1 β-Ga_2O_3晶体结构与本征导电 | 第19-20页 |
| 2.2.2 β-Ga_2O_3的禁带宽度和电学特性 | 第20-23页 |
| 2.2.3 β-Ga_2O_3的掺杂 | 第23-24页 |
| 2.3 功率肖特基二极管基本理论 | 第24-32页 |
| 2.3.1 正向导通与反向阻断特性 | 第26-29页 |
| 2.3.2 电容电压特性与反向恢复特性 | 第29-31页 |
| 2.3.3 肖特基势垒不均匀性 | 第31-32页 |
| 2.4 β-Ga_2O_3应用于功率器件的优势与劣势 | 第32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 (100)β-Ga_2O_3 SBD的制作及工艺优化 | 第34-44页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 材料的表征 | 第34-36页 |
| 3.3 器件制作工艺及流程 | 第36-40页 |
| 3.4 欧姆接触工艺优化—PECVD前退火处理 | 第40-41页 |
| 3.5 器件性能及可靠性提升 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 (100)β-Ga_2O_3 SBD电学性能及变温特性 | 第44-56页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 常温下β-Ga_2O_3 SBD的I-V特性以及数据拟合 | 第44-47页 |
| 4.3 变温下β-Ga_2O_3 SBD的I-V、C-V特性以及数据拟合 | 第47-52页 |
| 4.3.1 优化工艺前器件的变温I-V数据拟合 | 第47-48页 |
| 4.3.2 优化工艺后器件的变温I-V、C-V数据拟合 | 第48-52页 |
| 4.4 高斯分布与肖特基势垒不均匀性 | 第52-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 β-Ga_2O_3 SBD整流特性研究 | 第56-67页 |
| 5.1 引言 | 第56-57页 |
| 5.2 整流电路的仿真与搭建 | 第57-60页 |
| 5.3 β-Ga_2O_3 SBD整流特性的测试与仿真 | 第60-64页 |
| 5.4 β-Ga_2O_3 SBD的高频应用分析 | 第64-65页 |
| 5.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 总结 | 第67页 |
| 6.2 展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 附录A 个人简历 | 第80-81页 |
| 附录B 攻读硕士学位期间发表论文专利与参加会议目录 | 第81-82页 |
