| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 本论文中使用的缩写和符号 | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·硅基半导体纳米材料研究的意义 | 第11-12页 |
| ·半导体纳米材料介绍 | 第12-17页 |
| ·Ge和Si材料介绍 | 第12-14页 |
| ·SnO_2材料分组 | 第14-15页 |
| ·SiC材料介绍 | 第15-17页 |
| ·研究工作的思路及本论文的主要内容 | 第17-20页 |
| 参考文献 | 第20-25页 |
| 第二章 一些半导体纳米结构生长机制研究 | 第25-55页 |
| ·晶态核/壳Si/SiO_2纳米管生长机制研究 | 第25-31页 |
| ·研究背景与样品制备 | 第25-26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-31页 |
| ·小结 | 第31页 |
| ·SiO_2薄膜中镶嵌的孪生Ge_(0.54)Si_(0.46)纳米晶生长机制研究 | 第31-38页 |
| ·研究背景与样品制备 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| ·表面极化引起的非晶叶状SiO_2螺旋纳米带形成机制 | 第38-43页 |
| ·研究背景与样品制备 | 第38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-43页 |
| ·小结 | 第43页 |
| ·纳米立方定向连接引起的SnO_2纳米棒形成机制 | 第43-50页 |
| ·研究背景与样品制备 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 第三章 一些半导体纳米结构拉曼散射研究 | 第55-94页 |
| ·晶体Si纳米线氧化过程的拉曼研究 | 第55-61页 |
| ·研究背景与样品制备 | 第55-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| ·GeSi界面层对非晶SiO_2薄膜中Ge纳米晶颗粒的Ge-Ge光学声子模式影响 | 第61-68页 |
| ·研究背景与样品制备 | 第61-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| ·利用拉曼谱鉴别Si_xGe_(1-x)合金纳米晶颗粒中局域化Si团簇的形成 | 第68-75页 |
| ·研究背景与样品制备 | 第68-69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| ·发光3C-SiC纳米晶薄膜中纵向光学声子等离激元耦合 | 第75-80页 |
| ·研究背景与样品制备 | 第75-76页 |
| ·结果与讨论 | 第76-80页 |
| ·小结 | 第80页 |
| ·SnO_2纳米晶颗粒表面氧缺陷位置相关的拉曼模式 | 第80-87页 |
| ·研究背景与样品制备 | 第80-82页 |
| ·结果与讨论 | 第82-86页 |
| ·小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-94页 |
| 第四章 一些半导体纳米结构低频拉曼散射研究 | 第94-105页 |
| ·纳米晶颗粒声学声子研究现状及其研究方法 | 第94-96页 |
| ·Ge、Si及合金纳米晶颗粒声学声子特性研究状况 | 第94-95页 |
| ·非自由纳米晶表面声学声子研究 | 第95-96页 |
| ·Ge纳米晶颗粒镶嵌的非晶SiO_2介质薄膜中与尺寸无关的低频拉曼散射 | 第96-102页 |
| ·研究背景与样品制备 | 第96-97页 |
| ·结果与讨论 | 第97-101页 |
| ·小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第五章 有序非晶硅纳米岛屿列阵的光反射谱研究 | 第105-119页 |
| ·严格耦合波理论 | 第105-111页 |
| ·有序的Si纳米岛制备及其光反射特性研究 | 第111-118页 |
| ·研究背景与样品制备 | 第111-112页 |
| ·结果与讨论 | 第112-117页 |
| ·小结 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-119页 |
| 第六章 结论与展望 | 第119-124页 |
| ·结论 | 第119-122页 |
| ·展望 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果 | 第125-127页 |
