| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-24页 |
| 1.1 永磁材料的发展概述 | 第15-16页 |
| 1.1.1 永磁材料的发展历史 | 第15-16页 |
| 1.1.2 Nd-Fe-B永磁材料的性能 | 第16页 |
| 1.1.3 钕铁硼稀土永磁材料的应用 | 第16页 |
| 1.2 烧结钕铁硼的成分与结构 | 第16-18页 |
| 1.2.1 烧结NdFeB磁体的成分 | 第17页 |
| 1.2.2 烧结钕铁硼的微观结构 | 第17-18页 |
| 1.3 烧结钕铁硼的制备方法 | 第18-19页 |
| 1.4 烧结钕铁硼的一些磁性参量 | 第19-20页 |
| 1.5 烧结钕铁硼磁体的腐蚀与防护 | 第20-23页 |
| 1.5.1 烧结钕铁硼腐蚀原理 | 第20页 |
| 1.5.2 烧结钕铁硼防护 | 第20-23页 |
| 1.6 本课题的主要内容和创新点 | 第23页 |
| 1.7 本章小结 | 第23-24页 |
| 第二章 薄膜的制备及其表征 | 第24-35页 |
| 2.1 磁控溅射制备薄膜 | 第24-27页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理 | 第24-25页 |
| 2.1.2 影响溅射的主要参数 | 第25-26页 |
| 2.1.3 磁控溅射设备 | 第26-27页 |
| 2.2 薄膜的形成过程 | 第27-29页 |
| 2.2.1 溅射原子的吸附、扩散和凝结 | 第27页 |
| 2.2.2 薄膜的形核 | 第27页 |
| 2.2.3 薄膜的生长 | 第27-29页 |
| 2.3 薄膜的制备过程 | 第29-30页 |
| 2.4 试样的退火处理 | 第30页 |
| 2.5 试样的表征技术 | 第30-33页 |
| 2.5.1 X射线衍射仪(XRD) | 第30-31页 |
| 2.5.2 原子力显微镜(AFM) | 第31-32页 |
| 2.5.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第32页 |
| 2.5.4 电化学性能测试 | 第32-33页 |
| 2.6 实验中所需仪器 | 第33-34页 |
| 2.7 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 退火温度对磁控溅射制备SiC薄膜结构和性能的影响 | 第35-42页 |
| 3.1 退火温度对SiC薄膜结构和性能的影响 | 第36-41页 |
| 3.1.1 SiC薄膜的XRD分析 | 第36-37页 |
| 3.1.2 SiC薄膜的AFM分析 | 第37-38页 |
| 3.1.3 SiC薄膜的磁学性能分析 | 第38页 |
| 3.1.4 SiC薄膜的耐腐性能分析 | 第38-41页 |
| 3.2 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 双层AlN/SiC薄膜的制备及其防护性能的研究 | 第42-48页 |
| 4.1 AlN薄膜简介及制备 | 第42-47页 |
| 4.1.1 AlN概述 | 第42页 |
| 4.1.2 AlN薄膜的制备 | 第42-47页 |
| 4.2 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 钕铁硼基SiC抗辐照性能的研究 | 第48-53页 |
| 5.1 钕铁硼基SiC单层膜与AlN/SiC双层膜XRD | 第48-49页 |
| 5.2 钕铁硼基SiC单层膜与AlN/SiC双层膜磁学性能 | 第49-50页 |
| 5.3 钕铁硼基SiC单层膜与AlN/SiC双层膜耐腐蚀性能 | 第50-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第62页 |
| 申请发明专利 | 第62页 |
