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半导体量子点中热电及热自旋相关效应的研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 引言第8-33页
    1.1 介观纳米体系和量子点结构第9-19页
        1.1.1 介观纳米体系第9-12页
        1.1.2 半导体量子点第12-15页
        1.1.3 半导体量子点的性质简介第15-19页
    1.2 半导体自旋电子学第19-27页
        1.2.1 自旋电子学的兴起第20-22页
        1.2.2 半导体材料中的自旋流第22-24页
        1.2.3 半导体量子点中单自旋比特第24-25页
        1.2.4 热自旋效应第25-27页
    1.3 半导体量子点中热自旋效应第27-33页
        1.3.1 纳米结构中的局域发热效应第28-30页
        1.3.2 半导体量子点中热自旋效应研究进展第30-31页
        1.3.3 本文研究内容第31-33页
第二章 量子点系统输运的若干理论方法第33-57页
    2.1 开放系统的密度矩阵第33-40页
        2.1.1 量子点系统约化密度矩阵演化第33-34页
        2.1.2 二阶近似下主方程第34-36页
        2.1.3 隧穿速率方程导出第36-38页
        2.1.4 库伦阻塞机制下的隧穿速率方程第38-40页
    2.2 非平衡格林函数法第40-57页
        2.2.1 几种常见的格林函数第40-42页
        2.2.2 孤立系统的平衡态格林函数求解第42-44页
        2.2.3 非平衡格林函数第44-46页
        2.2.4 非平衡格林函数计算及 Langreth 定理(解析延拓)第46-51页
        2.2.5 改进的速率方程第51-57页
第三章 局域磁场对量子点中热电及热自旋效应的影响第57-67页
    3.1 模型与计算方法第57-60页
        3.1.1 理论模型第57-59页
        3.1.2 计算方法第59-60页
    3.2 数值模拟与分析第60-66页
        3.2.1 热电效应影响第60-63页
        3.2.2 热自旋效应影响第63-65页
        3.2.3 增强的热自旋品质因子第65-66页
    3.3 小结第66-67页
第四章 热偏压下的量子点系统第67-76页
    4.1 模型与计算方法第67-70页
        4.1.1 理论模型第67-69页
        4.1.2 计算方法第69-70页
    4.2 数值模拟与分析第70-75页
        4.2.1 自旋流影响第70-72页
        4.2.2 单自旋比特存储的影响第72-73页
        4.2.3 单自旋比特读出的影响第73-75页
    4.3 小结第75-76页
结论与展望第76-78页
参考文献第78-86页
在学研究成果第86-87页
致谢第87-88页

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