摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
引言 | 第10-11页 |
1 半导体 TiO_2纳米材料简介 | 第11-30页 |
1.1 纳米 TiO_2的光催化机理 | 第11-12页 |
1.2 影响 TiO_2光催化性能的因素 | 第12-15页 |
1.2.1 TiO_2晶型的影响 | 第12页 |
1.2.2 TiO_2粒径的影响 | 第12-13页 |
1.2.3 TiO_2晶格缺陷的影响 | 第13页 |
1.2.4 催化剂表面积的影响 | 第13-14页 |
1.2.5 光吸收性能的影响 | 第14页 |
1.2.6 溶液 pH 的影响 | 第14-15页 |
1.3 提高 TiO_2光催化活性的途径 | 第15-18页 |
1.3.1 二氧化钛半导体材料的局限性 | 第15页 |
1.3.2 非金属元素掺杂 | 第15页 |
1.3.3 过渡金属元素掺杂 | 第15-16页 |
1.3.4 半导体复合 | 第16-17页 |
1.3.5 光敏化 | 第17页 |
1.3.6 表面螯合及衍生作用 | 第17页 |
1.3.7 超强酸化 | 第17-18页 |
1.4 纳米材料的制备方法 | 第18-21页 |
1.4.1 物理方法 | 第18页 |
1.4.2 化学法 | 第18-21页 |
1.5 二氧化钛光催化剂的应用 | 第21-24页 |
1.5.1 废水处理 | 第22页 |
1.5.2 气体净化 | 第22-23页 |
1.5.3 抗菌、杀菌和除臭 | 第23页 |
1.5.4 防雾、自清洁材料 | 第23-24页 |
1.5.5 光催化合成 | 第24页 |
1.5.6 光引发聚合 | 第24页 |
1.6 活性炭的简介 | 第24-27页 |
1.6.1 活性炭的结构 | 第25页 |
1.6.2 活性炭的性质 | 第25-26页 |
1.6.3 活性炭的应用 | 第26-27页 |
1.7 二氧化钛负载活性炭研究进展 | 第27-28页 |
1.8 本课题的研究目的、内容和创新点 | 第28-30页 |
1.8.1 研究目的 | 第28页 |
1.8.2 研究内容 | 第28页 |
1.8.3 创新点 | 第28-30页 |
2 实验 | 第30-34页 |
2.1 主要试剂、仪器 | 第30-31页 |
2.1.1 试剂 | 第30页 |
2.1.2 仪器 | 第30-31页 |
2.2 光催化材料的表征手段 | 第31-32页 |
2.2.1 粉体焙烧温度的确定(TG-DTA) | 第31页 |
2.2.2 粉体晶型分析(XRD) | 第31-32页 |
2.2.3 粉体形貌分析(TEM) | 第32页 |
2.2.4 紫外-可见光分析(UV-Vis) | 第32页 |
2.2.5 比表面积分析(BET) | 第32页 |
2.3 光催化性能测定 | 第32-34页 |
3 炭吸附 Bi_2O_3纳米粉体的制备、表征和光催化性能研究 | 第34-40页 |
3.1 Bi_2O_3粉体的制备 | 第34页 |
3.2 Bi_2O_3粉体的表征 | 第34-38页 |
3.2.1 焙烧温度的确定(TG-DTA) | 第34-35页 |
3.2.2 XRD 分析 | 第35-36页 |
3.2.3 TEM 分析 | 第36-37页 |
3.2.4 UV-Vis 分析 | 第37-38页 |
3.3 光催化性能分析 | 第38-39页 |
3.4 小结 | 第39-40页 |
4 炭吸附法 Bi_2O_3/TiO_2的制备、表征和光催化性能研究 | 第40-48页 |
4.1 Bi_2O_3/TiO_2的制备 | 第40页 |
4.2 Bi_2O_3/TiO_2的表征 | 第40-45页 |
4.2.1 炭黑吸附与溶胶凝胶法耦合 | 第40-41页 |
4.2.2 焙烧温度的确定(TG-DTA) | 第41-42页 |
4.2.3 XRD 分析 | 第42-43页 |
4.2.4 TEM 分析 | 第43-44页 |
4.2.5 UV-Vis 分析 | 第44-45页 |
4.3 光催化性能测定及机理分析 | 第45-46页 |
4.4 小结 | 第46-48页 |
5 炭吸附法 Y_2O_3/TiO_2的制备、表征和光催化性能研究 | 第48-55页 |
5.1 Y_2O_3/TiO_2的制备 | 第48页 |
5.2 Y_2O_3/TiO_2的表征 | 第48-52页 |
5.2.1 焙烧温度的确定(TG-DTA) | 第48-49页 |
5.2.2 XRD 分析 | 第49-50页 |
5.2.3 TEM 分析 | 第50-52页 |
5.2.4 UV-Vis 分析 | 第52页 |
5.3 光催化性能测定及机理分析 | 第52-54页 |
5.4 小结 | 第54-55页 |
结论 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-63页 |
在学研究成果 | 第63-64页 |
致谢 | 第64页 |