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基于CMOS工艺的毫米波压控振荡器芯片设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-17页
    1.1 研究背景与意义第11-13页
    1.2 国内外研究现状与发展趋势第13-15页
    1.3 本文主要工作及贡献第15页
    1.4 本文的结构安排第15-17页
第二章 CMOS毫米波压控振荡器设计基础第17-32页
    2.1 振荡器的基本原理第17-20页
        2.1.1 双端.反馈模型第17-18页
        2.1.2 单端.能量补偿模型第18-20页
    2.2 压控振荡器的基本参数第20-23页
    2.3 毫米波压控振荡器中的无源器件第23-30页
        2.3.1 毫米波传输线第23-25页
        2.3.2 片上电感和变压器第25-27页
        2.3.3 变容管第27-30页
    2.4 CMOS压控振荡器在毫米波频段中的挑战第30-31页
    2.5 本章小结第31-32页
第三章 压控振荡器相位噪声分析和优化第32-50页
    3.1 压控振荡器中的噪声源第32-33页
        3.1.1 热噪声第32-33页
        3.1.2 闪烁噪声第33页
    3.2 相位噪声的概念和特性第33-35页
    3.3 压控振荡器相位噪声模型第35-40页
        3.3.1 线性时不变噪声模型第35-37页
        3.3.2 线性相位时变噪声模型第37-40页
    3.4 压控振荡器常见的降噪技术第40-49页
        3.4.1 移除尾电流源第40-42页
        3.4.2 大电容滤波第42-43页
        3.4.3 二次谐波滤波第43-44页
        3.4.4 C类振荡器技术第44-46页
        3.4.5 F类振荡器技术第46-48页
        3.4.6 注入锁定技术第48-49页
    3.5 本章小结第49-50页
第四章 基于CMOS工艺的Q波段压控振荡器设计第50-56页
    4.1 压控振荡器电路结构设计第50页
    4.2 压控振荡器电路设计第50-53页
        4.2.1 交叉耦合对设计第51-52页
        4.2.2 片上电感设计第52-53页
        4.2.3 变电容管设计第53页
    4.3 电路版图设计与后仿真第53-55页
        4.3.1 电路版图设计第53-54页
        4.3.2 电路仿真结果第54-55页
    4.4 本章总结第55-56页
第五章 基于CMOS工艺的V波段注入锁定压控振荡器设计第56-72页
    5.1 注入锁定压控振荡器电路结构分析第56-57页
    5.2 注入源压控振荡器设计第57-60页
        5.2.1 交叉耦合对设计第58页
        5.2.2 变容管及开关电容设计第58-60页
        5.2.3 偏置电路设计第60页
    5.3 被注入压控振荡器设计第60-63页
        5.3.1 交叉耦合对设计第61页
        5.3.2 片上电感设计第61-62页
        5.3.3 变容管及开关电容设计第62页
        5.3.4 偏置电路设计第62-63页
    5.4 电路版图设计与后仿真第63-68页
        5.4.1 电路版图设计第64-66页
        5.4.2 电路仿真结果第66-68页
    5.5 电路测试第68-71页
        5.5.1 电路测试平台与方法第68-69页
        5.5.2 测试结果与分析第69-71页
    5.6 本章总结第71-72页
第六章 全文总结与展望第72-74页
    6.1 全文工作总结第72页
    6.2 后续工作展望第72-74页
致谢第74-75页
参考文献第75-78页
攻读硕士学位期间取得的成果第78-79页

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