摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-17页 |
1.1 研究背景与意义 | 第11-13页 |
1.2 国内外研究现状与发展趋势 | 第13-15页 |
1.3 本文主要工作及贡献 | 第15页 |
1.4 本文的结构安排 | 第15-17页 |
第二章 CMOS毫米波压控振荡器设计基础 | 第17-32页 |
2.1 振荡器的基本原理 | 第17-20页 |
2.1.1 双端.反馈模型 | 第17-18页 |
2.1.2 单端.能量补偿模型 | 第18-20页 |
2.2 压控振荡器的基本参数 | 第20-23页 |
2.3 毫米波压控振荡器中的无源器件 | 第23-30页 |
2.3.1 毫米波传输线 | 第23-25页 |
2.3.2 片上电感和变压器 | 第25-27页 |
2.3.3 变容管 | 第27-30页 |
2.4 CMOS压控振荡器在毫米波频段中的挑战 | 第30-31页 |
2.5 本章小结 | 第31-32页 |
第三章 压控振荡器相位噪声分析和优化 | 第32-50页 |
3.1 压控振荡器中的噪声源 | 第32-33页 |
3.1.1 热噪声 | 第32-33页 |
3.1.2 闪烁噪声 | 第33页 |
3.2 相位噪声的概念和特性 | 第33-35页 |
3.3 压控振荡器相位噪声模型 | 第35-40页 |
3.3.1 线性时不变噪声模型 | 第35-37页 |
3.3.2 线性相位时变噪声模型 | 第37-40页 |
3.4 压控振荡器常见的降噪技术 | 第40-49页 |
3.4.1 移除尾电流源 | 第40-42页 |
3.4.2 大电容滤波 | 第42-43页 |
3.4.3 二次谐波滤波 | 第43-44页 |
3.4.4 C类振荡器技术 | 第44-46页 |
3.4.5 F类振荡器技术 | 第46-48页 |
3.4.6 注入锁定技术 | 第48-49页 |
3.5 本章小结 | 第49-50页 |
第四章 基于CMOS工艺的Q波段压控振荡器设计 | 第50-56页 |
4.1 压控振荡器电路结构设计 | 第50页 |
4.2 压控振荡器电路设计 | 第50-53页 |
4.2.1 交叉耦合对设计 | 第51-52页 |
4.2.2 片上电感设计 | 第52-53页 |
4.2.3 变电容管设计 | 第53页 |
4.3 电路版图设计与后仿真 | 第53-55页 |
4.3.1 电路版图设计 | 第53-54页 |
4.3.2 电路仿真结果 | 第54-55页 |
4.4 本章总结 | 第55-56页 |
第五章 基于CMOS工艺的V波段注入锁定压控振荡器设计 | 第56-72页 |
5.1 注入锁定压控振荡器电路结构分析 | 第56-57页 |
5.2 注入源压控振荡器设计 | 第57-60页 |
5.2.1 交叉耦合对设计 | 第58页 |
5.2.2 变容管及开关电容设计 | 第58-60页 |
5.2.3 偏置电路设计 | 第60页 |
5.3 被注入压控振荡器设计 | 第60-63页 |
5.3.1 交叉耦合对设计 | 第61页 |
5.3.2 片上电感设计 | 第61-62页 |
5.3.3 变容管及开关电容设计 | 第62页 |
5.3.4 偏置电路设计 | 第62-63页 |
5.4 电路版图设计与后仿真 | 第63-68页 |
5.4.1 电路版图设计 | 第64-66页 |
5.4.2 电路仿真结果 | 第66-68页 |
5.5 电路测试 | 第68-71页 |
5.5.1 电路测试平台与方法 | 第68-69页 |
5.5.2 测试结果与分析 | 第69-71页 |
5.6 本章总结 | 第71-72页 |
第六章 全文总结与展望 | 第72-74页 |
6.1 全文工作总结 | 第72页 |
6.2 后续工作展望 | 第72-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-78页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第78-79页 |