| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 主要符号对照表 | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 文献综述 | 第12-22页 |
| 1.2.1 电阻开关的概念与分类 | 第12-15页 |
| 1.2.2 电阻开关的主要机制和研究现状 | 第15-21页 |
| 1.2.3 电阻开关的发展趋势 | 第21-22页 |
| 1.3 STO 的性质及电阻开关效应 | 第22-27页 |
| 1.3.1 STO 的基本性质 | 第22-23页 |
| 1.3.2 STO 中的缺陷结构 | 第23-25页 |
| 1.3.3 STO 的电阻开关效应 | 第25-27页 |
| 1.4 论文的研究内容 | 第27-30页 |
| 第2章 实验仪器与方法 | 第30-45页 |
| 2.1 样品制备方法 | 第30-34页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜 | 第30-31页 |
| 2.1.2 光刻技术 | 第31-33页 |
| 2.1.3 气氛退火技术 | 第33-34页 |
| 2.2 结构表征技术 | 第34-36页 |
| 2.2.1 X 射线衍射技术 | 第34-35页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第35-36页 |
| 2.3 电学性质测量与分析技术 | 第36-39页 |
| 2.3.1 直流电输运测量 | 第36-37页 |
| 2.3.2 交流阻抗特性测量 | 第37-38页 |
| 2.3.3 变温电测量系统 | 第38-39页 |
| 2.4 微观调控与测量技术 | 第39-45页 |
| 2.4.1 扫描探针显微镜 | 第39-43页 |
| 2.4.2 探针台 | 第43-45页 |
| 第3章 Au/NSTO 异质结电阻开关效应研究 | 第45-67页 |
| 3.1 引言 | 第45-50页 |
| 3.1.1 金属-半导体的肖特基接触 | 第45-48页 |
| 3.1.2 NSTO 肖特基结的电阻开关效应 | 第48-50页 |
| 3.2 样品制备和结构表征 | 第50-53页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第50-51页 |
| 3.2.2 样品结构表征 | 第51-52页 |
| 3.2.3 样品的电连接 | 第52-53页 |
| 3.3 原始样品的电阻开关效应 | 第53-56页 |
| 3.3.1 原始样品的直流特性 | 第53-55页 |
| 3.3.2 原始样品的电容特性 | 第55-56页 |
| 3.4 退火样品的电性质 | 第56-59页 |
| 3.4.1 退火样品的直流性质 | 第56-57页 |
| 3.4.2 退火样品的电容特性 | 第57-59页 |
| 3.5 电容数据的分析 | 第59-64页 |
| 3.5.1 两种样品的比电容 | 第59-60页 |
| 3.5.2 原始样品的阻抗谱 | 第60-61页 |
| 3.5.3 电容数据的计算 | 第61-63页 |
| 3.5.4 对电阻开关效应的理解 | 第63-64页 |
| 3.6 表面缺陷的作用 | 第64-65页 |
| 3.7 本章小结 | 第65-67页 |
| 第4章 NSTO 电阻开关的微观机理 | 第67-83页 |
| 4.1 引言 | 第67-69页 |
| 4.1.1 氧含量对 NSTO 电阻开关的影响 | 第67-68页 |
| 4.1.2 NSTO 电阻开关的微观表征 | 第68-69页 |
| 4.2 样品制备与缺陷表征 | 第69-72页 |
| 4.2.1 样品的制备与测量方法 | 第69-70页 |
| 4.2.2 样品表面的缺陷表征 | 第70-72页 |
| 4.3 NSTO 电阻开关的微观测量 | 第72-74页 |
| 4.3.1 NSTO 微观尺度上的电阻开关效应 | 第72-73页 |
| 4.3.2 NSTO 电阻开关过程中费米能级的变化 | 第73-74页 |
| 4.4 NSTO 电阻开关的物理机制 | 第74-76页 |
| 4.4.1 两种可能的机制 | 第74-75页 |
| 4.4.2 电阻开关的表面氧化还原机制 | 第75-76页 |
| 4.5 表面氧化还原反应的过程与条件 | 第76-81页 |
| 4.5.1 表面氧离子势能曲线的第一原理计算 | 第76-78页 |
| 4.5.2 计算结果的经典对应 | 第78-79页 |
| 4.5.3 对宏观不均匀模型的解释 | 第79-80页 |
| 4.5.4 双势阱形状对阻态保持性能的影响 | 第80-81页 |
| 4.6 本章小结 | 第81-83页 |
| 第5章 STO 的表面准二维导电体系 | 第83-101页 |
| 5.1 引言 | 第83-87页 |
| 5.1.1 STO 界面上的准二维导电体系 | 第83-85页 |
| 5.1.2 STO 表面上的准二维导电体系 | 第85-87页 |
| 5.2 STO 表面准二维导电体系的制备 | 第87-90页 |
| 5.3 STO 表面准二维导电体系的性质 | 第90-93页 |
| 5.4 对半导体型导电机制的解释 | 第93-98页 |
| 5.4.1 不同氧空位浓度的表面能带结构计算 | 第93-96页 |
| 5.4.2 金属化杂质能级的分析 | 第96-97页 |
| 5.4.3 氧空位的电场作用辨析 | 第97-98页 |
| 5.5 量子电容对迁移率测量的影响 | 第98-99页 |
| 5.6 本章小结 | 第99-101页 |
| 第6章 总结与展望 | 第101-103页 |
| 6.1 研究总结 | 第101-102页 |
| 6.2 展望 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第111页 |