平面光波导衰减器的研究及工艺开发
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 光通讯发展 | 第9-14页 |
| 1.3 光衰减器概述 | 第14-15页 |
| 1.3.1 光衰减器的定义 | 第14页 |
| 1.3.2 光衰减器的主要指标 | 第14-15页 |
| 1.4 硅材料在集成光学中的发展和应用 | 第15-16页 |
| 1.5 光衰减器的分类及发展现状 | 第16-22页 |
| 1.5.1 光衰减器的分类 | 第16-21页 |
| 1.5.2 平面光波导衰减器发展现状 | 第21-22页 |
| 1.6 本文主要工作 | 第22-23页 |
| 1.7 本论文的结构安排 | 第23-24页 |
| 第二章 平面光波导衰减器结构设计及关键工艺调试 | 第24-44页 |
| 2.1 平面光波导衰减器结构及工艺设计 | 第24-27页 |
| 2.2 平面光波导衰减器关键工艺开发 | 第27-43页 |
| 2.2.1 平面光波导衰减器芯层刻蚀工艺开发 | 第27-36页 |
| 2.2.1.1 刻蚀设备结构及特点 | 第27-28页 |
| 2.2.1.2 ICP刻蚀原理 | 第28-29页 |
| 2.2.1.3 工艺调试条件 | 第29-31页 |
| 2.2.1.4 结果与讨论 | 第31-36页 |
| 2.2.2 平面光波导衰减器上包层工艺开发 | 第36-43页 |
| 2.2.2.1 上包层沉积原理 | 第36-37页 |
| 2.2.2.2 工艺调试条件 | 第37-38页 |
| 2.2.2.3 结果与讨论 | 第38-43页 |
| 2.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 平面光波导衰减器的制作与分析 | 第44-56页 |
| 3.1 平面光波导衰减器的制作工艺流程 | 第44页 |
| 3.2 平面光波导光衰减器的制作工艺说明 | 第44-55页 |
| 3.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 平面光波导衰减器性能测试 | 第56-65页 |
| 4.1 平面光波导衰减器测试原理 | 第56-57页 |
| 4.2 平面光波导衰减器性能分析 | 第57-64页 |
| 4.2.1 IL偏大 | 第59-61页 |
| 4.2.2 PDL、ER偏大 | 第61-63页 |
| 4.2.3 收敛性差 | 第63-64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 本文的主要贡献 | 第65页 |
| 5.2 下一步工作的展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
