| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第11-27页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11页 |
| 1.2 钽铌酸钾晶体国内外研究现状 | 第11-16页 |
| 1.3 钽铌酸钾晶的电光特性 | 第16-25页 |
| 1.3.1 晶体的电光效应及典型的电光晶体 | 第17-18页 |
| 1.3.2 钽铌酸钾晶体的组分及介温特性 | 第18-21页 |
| 1.3.3 钽铌酸钾晶体的二次电光效应 | 第21-23页 |
| 1.3.4 钽铌酸钾晶体的电光强度调制原理 | 第23-25页 |
| 1.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第2章 基于电光调制的三维成像激光雷达技术简介 | 第27-35页 |
| 2.1 三维成像激光雷达技术的发展现状 | 第27-28页 |
| 2.2 光强调制三维成像激光雷达系统的工作原理 | 第28-31页 |
| 2.3 KD*P晶体在光强调制中引起的视场受限问题 | 第31页 |
| 2.4 KD*P晶体的一次电光效应 | 第31-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第3章 外电场作用下钽铌酸钾晶体的锥光干涉 | 第35-57页 |
| 3.1 锥光干涉系统 | 第35-45页 |
| 3.1.1 单轴晶体的锥光干涉 | 第36-41页 |
| 3.1.2 双轴晶体的锥光干涉 | 第41-45页 |
| 3.2 钽铌酸钾晶体锥光干涉实验测量 | 第45-48页 |
| 3.3 钽铌酸钾晶体锥光干涉仿真分析 | 第48-53页 |
| 3.4 电光强度调制的视场分析 | 第53-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 运用钽铌酸钾晶体实现电光强度调制 | 第57-67页 |
| 4.1 钽铌酸钾晶体的电光强度调制实验 | 第57-58页 |
| 4.2 钽铌酸钾晶体的半波电压 | 第58-59页 |
| 4.3 钽铌酸钾晶体在电光强度调制时的消光比测量 | 第59-62页 |
| 4.3.1 消光比测量实验结果 | 第59-60页 |
| 4.3.2 限制消光比的主要因素 | 第60-62页 |
| 4.4 钽铌酸钾晶体的电控双折射实验 | 第62-65页 |
| 4.4.1 电控双折射的实验原理 | 第62-64页 |
| 4.4.2 电控双折射测量结果与分析 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第5章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 工作总结 | 第67-68页 |
| 5.2 工作展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第72-73页 |