| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 相变存储技术 | 第10-12页 |
| 1.1.1 新型存储技术 | 第10-12页 |
| 1.1.2 相变存储器原理 | 第12页 |
| 1.2 相变存储材料 | 第12-20页 |
| 1.2.1 相变存储材料选择及性能要求 | 第12-13页 |
| 1.2.2 相变薄膜性能研究进展 | 第13-19页 |
| 1.2.3 用于薄膜制备的溅射用相变靶材研究 | 第19-20页 |
| 1.3 本课题研究意义及主要内容 | 第20-22页 |
| 2 实验方法 | 第22-27页 |
| 2.1 实验原料及设备 | 第22-23页 |
| 2.2 实验内容 | 第23-24页 |
| 2.2.1 工艺流程 | 第23页 |
| 2.2.2 合成粉制备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 AST合金靶制备 | 第24页 |
| 2.3 分析测试 | 第24-27页 |
| 3 合金粉的制备及性能研究 | 第27-44页 |
| 3.1 合成工艺条件的设立 | 第27-31页 |
| 3.1.1 合成元素性质对合成工艺的影响与设计要求 | 第27-28页 |
| 3.1.2 化合物性质对合成工艺的影响与设计要求 | 第28-30页 |
| 3.1.3 化学反应对合成工艺的影响与设计要求 | 第30-31页 |
| 3.2 二元粉的合成研究 | 第31-36页 |
| 3.2.1 AlSb二元合成粉 | 第31-33页 |
| 3.2.2 Sb_2Te_3二元合金粉 | 第33-35页 |
| 3.2.3 Al_2Te_3二元合成粉 | 第35-36页 |
| 3.3 AST三元合成粉的合成研究 | 第36-42页 |
| 3.3.1 原料粉体的粒度及其分布 | 第36-37页 |
| 3.3.2 AST三元合成粉的相结构及形貌 | 第37-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 4 AST合金靶性能研究 | 第44-56页 |
| 4.1 AST合金靶的密度测定 | 第44-45页 |
| 4.2 AST合金靶的物相分析 | 第45-46页 |
| 4.3 AST合金靶的显微组织及成分分析 | 第46-50页 |
| 4.4 AST合金靶的X射线光电子能谱分析 | 第50-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |