| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 全新类型基于铁电薄膜材料存储器的研究背景 | 第11-12页 |
| 1.3 简介关于铁电材料和铁电存储器 | 第12-17页 |
| 1.3.1 铁电材料的物理与性能 | 第12页 |
| 1.3.2 老式电容型铁电存储器 | 第12-14页 |
| 1.3.3 新式电阻型铁电存储器 | 第14-17页 |
| 1.4 本文的研究意义和内容 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第2章 BaTiO_3铁电薄膜的器件制备及其电学测试方法 | 第23-31页 |
| 2.1 BaTiO_3铁电薄膜器件的制备方法 | 第23页 |
| 2.2 脉冲激光沉积技术 | 第23-25页 |
| 2.3 溅射技术 | 第25-26页 |
| 2.4 BaTiO_3铁电薄膜质量的表征方法 | 第26-28页 |
| 2.4.1 X 射线衍射 | 第26页 |
| 2.4.2 铁电材料电滞回线测试电路和原理 | 第26-27页 |
| 2.4.3 电学性能测试系统简介 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第3章 硅衬底上 BaTiO_3薄膜器件的制备及电学性能 | 第31-47页 |
| 3.1 硅衬底上 BaTiO_3薄膜的制备 | 第31-32页 |
| 3.2 硅衬底制备钛酸钡薄膜的结构 XRD 图谱 | 第32-33页 |
| 3.3 硅衬底上 BaTiO_3薄膜的电学性能表征 | 第33-41页 |
| 3.3.1 BaTiO_3薄膜的 P-V 特性测试 | 第33-36页 |
| 3.3.2 BaTiO_3薄膜的 C-V 特性测试 | 第36-40页 |
| 3.3.3 BaTiO_3薄膜的 I-V 特性测试 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 第4章 Pt 衬底上 BaTiO_3薄膜器件的制备与电学性能 | 第47-63页 |
| 4.1 Pt 衬底上 BaTiO_3薄膜器件的制备 | 第47页 |
| 4.2 Pt 衬底制备 BaTiO_3薄膜器件的结构 XRD 图谱 | 第47-48页 |
| 4.3 Pt 衬底上 BaTiO_3薄膜器件的电学性能表征 | 第48-59页 |
| 4.3.1 BaTiO_3薄膜器件的 P-V 特性测试 | 第48-50页 |
| 4.3.2 BaTiO_3薄膜器件的 C-V 特性测试 | 第50-52页 |
| 4.3.3 BaTiO_3薄膜的 I-V 特性测试 | 第52-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第5章 NSTO 衬底上外延 BaTiO_3薄膜的制备与电学性能 | 第63-81页 |
| 5.1 NSTO 衬底上外延 BaTiO_3薄膜器件的制备 | 第63-64页 |
| 5.2 NSTO 衬底上 BaTiO_3薄膜的结构图谱 | 第64-66页 |
| 5.3 NSTO 衬底上外延 BaTiO_3薄膜器件的电学性能表征 | 第66-78页 |
| 5.3.1 BaTiO_3薄膜器件的 P-V 特性测试 | 第66-68页 |
| 5.3.2 BaTiO_3薄膜器件的 I-V 特性测试 | 第68-69页 |
| 5.3.3 BaTiO_3薄膜器件的 I-Vpulse特性测试 | 第69-72页 |
| 5.3.4 BaTiO_3薄膜器件中电流与脉冲电压变化的测试 | 第72-73页 |
| 5.3.5 BaTiO_3薄膜器件的阻变开关和多级存储保持、循环特性 | 第73-76页 |
| 5.3.6 BaTiO_3薄膜器件阻变和忆阻特性的定性解释 | 第76-78页 |
| 5.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 总结 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第85-86页 |
