| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 课题背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 研究内容和创新点 | 第13-14页 |
| 1.4 论文整体结构 | 第14-16页 |
| 第二章 单粒子效应综述 | 第16-27页 |
| 2.1 单粒子效应分类 | 第16-19页 |
| 2.2 电荷的产生与收集 | 第19-21页 |
| 2.2.1 电荷的产生 | 第19-20页 |
| 2.2.2 电荷的收集 | 第20-21页 |
| 2.3 存储电路的抗辐照加固方法 | 第21-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 抗辐照SRAM存储单元设计 | 第27-38页 |
| 3.1 Quatro-10T SRAM单元 | 第28-30页 |
| 3.2 RHEQ SRAM单元设计 | 第30-32页 |
| 3.3 SRAM单元性能分析和仿真结果 | 第32-34页 |
| 3.3.1 SRAM单元面积 | 第32-33页 |
| 3.3.2 单元的操作速度 | 第33页 |
| 3.3.3 SRAM单元的功耗分析 | 第33-34页 |
| 3.4 SRAM单元稳定性分析和仿真结果 | 第34-37页 |
| 3.4.1 保持静态噪声容限 | 第35页 |
| 3.4.2 读静态噪声容限 | 第35-36页 |
| 3.4.3 写裕度 | 第36-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 SRAM单元抗辐照性能分析 | 第38-49页 |
| 4.1 单元节点敏感性分析 | 第38-41页 |
| 4.1.1 Quatro-10T单元节点敏感性分析 | 第38-39页 |
| 4.1.2 RHEQ单元节点敏感性分析 | 第39-41页 |
| 4.2 RHEQ结构的版图加固方法 | 第41-42页 |
| 4.3 仿真验证 | 第42-48页 |
| 4.3.1 晶体管建模和校准 | 第42-43页 |
| 4.3.2 SRAM单元抗辐照仿真验证 | 第43-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 论文总结 | 第49页 |
| 5.2 未来展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间取得的学术成果 | 第57页 |