| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 薄膜晶体管 | 第13-14页 |
| 1.3 高k介电材料 | 第14-21页 |
| 1.3.1 选择高k介电材料的条件 | 第15-16页 |
| 1.3.2 溶胶凝胶法制备高k介电材料 | 第16-21页 |
| 1.4 半导体材料 | 第21-27页 |
| 1.4.1 ZnO概述 | 第23-24页 |
| 1.4.2 溶胶凝胶法制备ZnO薄膜的研究现状 | 第24-27页 |
| 1.5 课题的提出 | 第27-29页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征方法 | 第29-41页 |
| 2.1 实验仪器与材料 | 第29-31页 |
| 2.2 Al_2O_3薄膜和TFT器件制备流程 | 第31-34页 |
| 2.2.1 Al_2O_3薄膜制备流程 | 第31-33页 |
| 2.2.2 TFT器件制备流程 | 第33-34页 |
| 2.3 ZnO薄膜制备流程 | 第34-36页 |
| 2.4 表征方法 | 第36-39页 |
| 2.4.1 前驱体溶液的表征 | 第36页 |
| 2.4.2 薄膜的表征 | 第36-39页 |
| 2.4.3 电学性能测试 | 第39页 |
| 2.5 小结 | 第39-41页 |
| 第三章 高温退火制备Al_2O_3薄膜及其TFTs应用 | 第41-53页 |
| 3.1 Al_2O_3前驱体溶液热分析 | 第41页 |
| 3.2 Al_2O_3薄膜的物相分析 | 第41-42页 |
| 3.3 Al_2O_3薄膜的表面形貌分析 | 第42-44页 |
| 3.4 Al_2O_3薄膜光学性能的表征 | 第44-45页 |
| 3.5 Al_2O_3薄膜的X射线光电子能谱分析 | 第45-47页 |
| 3.6 Al_2O_3薄膜的电学性能分析 | 第47-49页 |
| 3.7 Al_2O_3薄膜在晶体管中的应用 | 第49-51页 |
| 3.8 小结 | 第51-53页 |
| 第四章 光波退火制备Al_2O_3薄膜 | 第53-65页 |
| 4.1 Al_2O_3薄膜的物相分析 | 第53-54页 |
| 4.2 Al_2O_3薄膜的表面形貌分析 | 第54-56页 |
| 4.3 Al_2O_3薄膜光学性能的表征 | 第56-58页 |
| 4.4 Al_2O_3薄膜的X射线光电子能谱分析 | 第58-61页 |
| 4.5 Al_2O_3薄膜的电学性能分析 | 第61-63页 |
| 4.6 小结 | 第63-65页 |
| 第五章 低温液相法制备ZnO薄膜 | 第65-73页 |
| 5.1 ZnO薄膜的表面形貌分析 | 第65-68页 |
| 5.4 ZnO薄膜的光学性能的分析 | 第68-70页 |
| 5.5 ZnO薄膜的X射线光电子能谱分析 | 第70-72页 |
| 5.6 小结 | 第72-73页 |
| 第六章 结论与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 结论 | 第73-74页 |
| 6.2 创新点 | 第74页 |
| 6.3 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 附录 | 第85-86页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第86页 |