| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 纳米晶体硅 | 第7-10页 |
| 1.2 镶嵌在SiO_2中的纳米晶体硅与多孔硅的比较 | 第10页 |
| 1.3 纳米晶体硅的应用 | 第10-11页 |
| 第二章 纳米晶硅的制备方法和表征 | 第11-20页 |
| 2.1 纳米晶体硅的制备 | 第11-13页 |
| 2.1.1 常用的制备方法 | 第11页 |
| 2.1.2 反应蒸发法制备纳米晶体硅 | 第11-13页 |
| 2.2 纳米晶体硅的表征 | 第13-19页 |
| 2.2.1 光致发光谱(PL) | 第13-17页 |
| 2.2.1.1 不同波长激发光下的荧光强度 | 第14页 |
| 2.2.1.2 不同温度H钝化下的荧光强度 | 第14-15页 |
| 2.2.1.3 加偏压下的纳米晶体硅的光致发光谱 | 第15-17页 |
| 2.2.2 拉曼谱 | 第17-18页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜谱(TEM) | 第18-19页 |
| 2.3 小结 | 第19-20页 |
| 第三章 纳米晶体硅的电致发光 | 第20-26页 |
| 3.1 样品制备 | 第20页 |
| 3.2 纳米晶体硅的电致发光谱 | 第20-23页 |
| 3.3 薄膜中的电流电压特性 | 第23-25页 |
| 3.4 小结 | 第25-26页 |
| 第四章 SiO/Si多层结构的电致发光与光致发光 | 第26-37页 |
| 4.1 样品制备 | 第26页 |
| 4.2 多层结构样品的PL与EL | 第26-29页 |
| 4.3 多层与单层样品的比较 | 第29-32页 |
| 4.4 激光预退火增强纳晶硅的电致发光 | 第32-36页 |
| 4.5 小结 | 第36-37页 |
| 第五章 ITO电极的应用与样品制冷对纳米晶体硅EL的影响 | 第37-42页 |
| 5.1 采用ITO顶电极 | 第37-38页 |
| 5.2 低温下的EL | 第38-41页 |
| 5.3 小结 | 第41-42页 |
| 第六章 总结与展望 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 硕士期间发表论文 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |