| 附件 | 第5-6页 |
| 答辩决议书(讨论稿) | 第6-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-16页 |
| 1.1 研究背景与现状 | 第13-14页 |
| 1.2 本文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 氢化纳米硅薄膜材料性质及表征分析 | 第16-33页 |
| 2.1 硅基材料类别及其性质 | 第16-18页 |
| 2.1.1 单晶硅(c-Si) | 第16页 |
| 2.1.2 非晶硅(a-Si) | 第16-17页 |
| 2.1.3 混相硅基材料 | 第17页 |
| 2.1.4 氢化纳米硅(nc-Si:H) | 第17-18页 |
| 2.2 氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜表征分析 | 第18-31页 |
| 2.2.1 微观结构形貌表征 | 第18-20页 |
| 2.2.2 光学表征 | 第20-29页 |
| 2.2.3 电学表征 | 第29-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 生长机理与纳米硅制备工艺 | 第33-53页 |
| 3.1 氢化纳米硅薄膜微观生长机理 | 第33-35页 |
| 3.2 氢化纳米硅薄膜的宏观生长理论模型 | 第35-39页 |
| 3.2.1 表面扩散模型 | 第35-36页 |
| 3.2.2 刻蚀模型 | 第36-37页 |
| 3.2.3 化学退火模型 | 第37页 |
| 3.2.4 离子轰击模型 | 第37-39页 |
| 3.3 常用纳米硅薄膜制备方法及工艺 | 第39-43页 |
| 3.3.1 真空蒸发法 | 第39-40页 |
| 3.3.2 磁控溅射法 | 第40-41页 |
| 3.3.3 激光烧蚀法(LCVD) | 第41-42页 |
| 3.3.4 热丝化学气相沉积(HWCVD) | 第42-43页 |
| 3.4 PECVD 设备介绍及操作方法 | 第43-48页 |
| 3.5 PECVD 制备氢化纳米硅薄膜工艺 | 第48-50页 |
| 3.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 氢化纳米硅薄膜缺陷结构及材料后氧化机制研究 | 第53-77页 |
| 4.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.2 氢化纳米硅氢稀释比样品制备及实验测试 | 第54-56页 |
| 4.3 氢化纳米硅薄膜微结构物性表征分析 | 第56-62页 |
| 4.4 氢化纳米硅薄膜样品硅氧成键结构形态 | 第62-66页 |
| 4.5 氢化纳米硅薄膜结构演变及后氧化机制 | 第66-72页 |
| 4.6 本章小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 第五章 结论 | 第77-79页 |
| 5.1 本文的主要结论和创新点 | 第77-78页 |
| 5.2 下一步的工作及展望 | 第78-79页 |
| 附录 | 第79-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第87页 |