| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第6-7页 |
| 1.2 国内外的研究现状 | 第7-12页 |
| 1.2.1 国外研究动态 | 第8-10页 |
| 1.2.2 国内研究动态 | 第10-12页 |
| 1.3 本文主要研究内容和研究方法 | 第12-14页 |
| 第二章 超导材料的发展 | 第14-22页 |
| 2.1 超导体的发现及物质的临界温度 | 第14-16页 |
| 2.2 超导现象的解释 | 第16-19页 |
| 2.2.1 超导现象的宏观解释 | 第16-18页 |
| 2.2.1.1 二流体模型 | 第16-17页 |
| 2.2.1.2 伦敦方程 | 第17-18页 |
| 2.2.2 超导现象的微观解释 | 第18-19页 |
| 2.3 超导电子器件 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-22页 |
| 第三章 约瑟夫森效应 | 第22-28页 |
| 3.1 约瑟夫森效应 | 第22-26页 |
| 3.1.1 直流约瑟夫森效应 | 第24-25页 |
| 3.1.2 交流约瑟夫森效应 | 第25-26页 |
| 3.2 夏皮罗微波感应台阶 | 第26-27页 |
| 3.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 约瑟夫森结的制备 | 第28-42页 |
| 4.1 测试系统的搭建 | 第28-29页 |
| 4.2 Nb膜及Nb_xSi_(1-x)膜的制备 | 第29-33页 |
| 4.2.1 薄膜应力 | 第30-31页 |
| 4.2.2 Nb膜的制备 | 第31-32页 |
| 4.2.3 Nb_xSi_(1-x)膜的制备 | 第32-33页 |
| 4.3 约瑟夫森结的设计和制备 | 第33-41页 |
| 4.3.1 光刻掩膜版的设计 | 第33-34页 |
| 4.3.2 约瑟夫森结的制备 | 第34-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 约瑟夫森结的测试 | 第42-48页 |
| 5.1 Nb膜和Nb_xSi_(1-x)膜特性的低温测量 | 第42-43页 |
| 5.2 约瑟夫森结的测试 | 第43-46页 |
| 5.2.1 约瑟夫森结的的测试原理 | 第43-44页 |
| 5.2.2 约瑟夫森结的测试及特性分析 | 第44-46页 |
| 5.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第六章 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |