| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-57页 |
| 1.1 引言 | 第13-15页 |
| 1.2 低维强关联电子材料(CEMs)的综述 | 第15-25页 |
| 1.2.1 非/弱相互作用电子体系 | 第15-16页 |
| 1.2.2 强关联电子体系 | 第16-17页 |
| 1.2.3 强关联电子材料的几种典型的物理现象 | 第17-25页 |
| 1.3 二氧化钒关联电子材料简介与研究进展 | 第25-50页 |
| 1.3.1 VO_2的晶体结构 | 第25-28页 |
| 1.3.2 VO_2的电子结构 | 第28页 |
| 1.3.3 VO_2相变前后的电学和光学性质研究 | 第28-30页 |
| 1.3.4 VO_2金属-绝缘体转变的机理的争论 | 第30-33页 |
| 1.3.5 VO_2金属-绝缘体转变的调制 | 第33-46页 |
| 1.3.6 几种重要实验手段对VO_2金属-绝缘体转变机理的探索 | 第46-50页 |
| 1.4 本论文的选题背景和研究内容 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 第2章 氢化效应调控VO_2(M)纳米带V-V原子链的自旋结构并获得大的室温负磁阻效应 | 第57-74页 |
| 2.1 引言 | 第57-59页 |
| 2.2 实验部分 | 第59-62页 |
| 2.2.1 氢气处理VO_2纳米带 | 第59-60页 |
| 2.2.2 单根纳米带器件磁输运性能测试 | 第60-61页 |
| 2.2.3 样品表征手段 | 第61页 |
| 2.2.4 计算方法 | 第61-62页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第62-70页 |
| 2.3.1 产物的表征 | 第62-64页 |
| 2.3.2 磁性能表征 | 第64-67页 |
| 2.3.3 磁输运性能表征 | 第67-68页 |
| 2.3.4 室温低场负磁阻机理解释 | 第68-70页 |
| 2.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 第3章 界面电荷转移效应诱导VO_2(M)纳米带出现室温稳定的金属单斜相 | 第74-94页 |
| 3.1 引言 | 第74-77页 |
| 3.2 实验部分 | 第77-79页 |
| 3.2.1 L-抗坏血酸溶液处理单晶VO_2纳米带 | 第77-78页 |
| 3.2.2 样品表征手段 | 第78页 |
| 3.2.3 介电力显微镜(dielectric force microscopy,DFM)测量 | 第78-79页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第79-91页 |
| 3.3.1 VO_2纳米带的电子态调控 | 第79-83页 |
| 3.3.2 VO_2金属单斜相的发现 | 第83-86页 |
| 3.3.3 电子注入机理研究 | 第86-90页 |
| 3.3.4 稳定金属单斜相的机理解释 | 第90-91页 |
| 3.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第4章 界面能带设计构筑VO_2/V_2O_5核-壳纳米带异质结构用于高效红外探测 | 第94-112页 |
| 4.1 引言 | 第94-97页 |
| 4.2 实验部分 | 第97-99页 |
| 4.2.1 单畴VO_2纳米带的制备 | 第97页 |
| 4.2.2 VO_2/V_2O_5核-壳纳米带异质结构的构筑 | 第97-98页 |
| 4.2.3 样品表征手段和计算方法 | 第98-99页 |
| 4.2.4 光导型红外探测器的性能参数 | 第99页 |
| 4.2.5 近红外光探测器性能测试 | 第99页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第99-109页 |
| 4.3.1 单畴VO_2纳米带的合成与表征 | 第99-103页 |
| 4.3.2 红外光响应 | 第103-109页 |
| 4.4 本章小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-112页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文及所获奖励 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
