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二氧化钒钠米带的关联电子态调控及其外场响应性研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第1章 绪论第13-57页
    1.1 引言第13-15页
    1.2 低维强关联电子材料(CEMs)的综述第15-25页
        1.2.1 非/弱相互作用电子体系第15-16页
        1.2.2 强关联电子体系第16-17页
        1.2.3 强关联电子材料的几种典型的物理现象第17-25页
    1.3 二氧化钒关联电子材料简介与研究进展第25-50页
        1.3.1 VO_2的晶体结构第25-28页
        1.3.2 VO_2的电子结构第28页
        1.3.3 VO_2相变前后的电学和光学性质研究第28-30页
        1.3.4 VO_2金属-绝缘体转变的机理的争论第30-33页
        1.3.5 VO_2金属-绝缘体转变的调制第33-46页
        1.3.6 几种重要实验手段对VO_2金属-绝缘体转变机理的探索第46-50页
    1.4 本论文的选题背景和研究内容第50-52页
    参考文献第52-57页
第2章 氢化效应调控VO_2(M)纳米带V-V原子链的自旋结构并获得大的室温负磁阻效应第57-74页
    2.1 引言第57-59页
    2.2 实验部分第59-62页
        2.2.1 氢气处理VO_2纳米带第59-60页
        2.2.2 单根纳米带器件磁输运性能测试第60-61页
        2.2.3 样品表征手段第61页
        2.2.4 计算方法第61-62页
    2.3 结果与讨论第62-70页
        2.3.1 产物的表征第62-64页
        2.3.2 磁性能表征第64-67页
        2.3.3 磁输运性能表征第67-68页
        2.3.4 室温低场负磁阻机理解释第68-70页
    2.4 本章小结第70-71页
    参考文献第71-74页
第3章 界面电荷转移效应诱导VO_2(M)纳米带出现室温稳定的金属单斜相第74-94页
    3.1 引言第74-77页
    3.2 实验部分第77-79页
        3.2.1 L-抗坏血酸溶液处理单晶VO_2纳米带第77-78页
        3.2.2 样品表征手段第78页
        3.2.3 介电力显微镜(dielectric force microscopy,DFM)测量第78-79页
    3.3 结果与讨论第79-91页
        3.3.1 VO_2纳米带的电子态调控第79-83页
        3.3.2 VO_2金属单斜相的发现第83-86页
        3.3.3 电子注入机理研究第86-90页
        3.3.4 稳定金属单斜相的机理解释第90-91页
    3.4 本章小结第91-92页
    参考文献第92-94页
第4章 界面能带设计构筑VO_2/V_2O_5核-壳纳米带异质结构用于高效红外探测第94-112页
    4.1 引言第94-97页
    4.2 实验部分第97-99页
        4.2.1 单畴VO_2纳米带的制备第97页
        4.2.2 VO_2/V_2O_5核-壳纳米带异质结构的构筑第97-98页
        4.2.3 样品表征手段和计算方法第98-99页
        4.2.4 光导型红外探测器的性能参数第99页
        4.2.5 近红外光探测器性能测试第99页
    4.3 结果与讨论第99-109页
        4.3.1 单畴VO_2纳米带的合成与表征第99-103页
        4.3.2 红外光响应第103-109页
    4.4 本章小结第109-110页
    参考文献第110-112页
攻读博士期间发表的学术论文及所获奖励第112-113页
致谢第113-114页

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