| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 铁电材料 | 第11-15页 |
| 1.2.1 铁电材料的主要性质与特征 | 第12-14页 |
| 1.2.2 铁电材料的分类 | 第14-15页 |
| 1.3 铁电薄膜的研究现状及应用 | 第15-18页 |
| 1.3.1 光电子器件和光电集成 | 第16-17页 |
| 1.3.2 存储器件 | 第17-18页 |
| 1.3.3 传感与换能器件 | 第18页 |
| 1.4 LiNbO_3铁电材料概述及应用 | 第18-22页 |
| 1.4.1 LiNbO_3铁电材料 | 第18-20页 |
| 1.4.2 LiNbO_3集成薄膜的研究现状 | 第20-22页 |
| 1.5 ZnSnO_3概述 | 第22-25页 |
| 1.5.1 ZnSnO_3的结构 | 第22-25页 |
| 1.5.2 ZnSnO_3的物理化学特性 | 第25页 |
| 1.6 论文选题及研究方案 | 第25-27页 |
| 第二章 薄膜的制备工艺及表征方法 | 第27-38页 |
| 2.1 常用的薄膜制备方法 | 第27-28页 |
| 2.2 脉冲激光沉积（PLD）原理及特点 | 第28-30页 |
| 2.3 薄膜微观结构表征 | 第30-34页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析（XRD） | 第30-31页 |
| 2.3.2 原子力显微镜 | 第31-33页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜（SEM） | 第33-34页 |
| 2.4 薄膜电学性能测试 | 第34-38页 |
| 2.4.1 电极的制备 | 第34-35页 |
| 2.4.2 薄膜铁电性能测试 | 第35-36页 |
| 2.4.3 薄膜绝缘性能测试 | 第36-38页 |
| 第三章 Pt/Si衬底上ZnSnO_3薄膜制备工艺研究 | 第38-53页 |
| 3.1 PLD法制备ZnSnO_3薄膜 | 第38-39页 |
| 3.2 氧分压对ZnSnO_3薄膜的影响 | 第39-41页 |
| 3.3 生长温度对ZnSnO_3薄膜的影响 | 第41-44页 |
| 3.4 激光能量对ZnSnO_3薄膜的影响 | 第44-46页 |
| 3.5 ZnO缓冲层对ZnSnO_3薄膜的影响 | 第46-49页 |
| 3.6 最优条件下ZnSnO_3薄膜性能测试 | 第49-52页 |
| 3.7 章节小结 | 第52-53页 |
| 第四章 Al2O_3衬底上ZnSnO_3薄膜的制备 | 第53-63页 |
| 4.1 Al2O_3衬底上制备ZnSnO_3薄膜 | 第53-56页 |
| 4.2 ZnSnO_3薄膜的漏电分析 | 第56-58页 |
| 4.2.1 退火温度对ZnSnO_3薄膜漏电流的影响 | 第56-57页 |
| 4.2.2 分段退火对ZnSnO_3薄膜漏电流的影响 | 第57-58页 |
| 4.3 ZnSnO_3薄膜铁电性能分析 | 第58-62页 |
| 4.3.1 热处理的影响 | 第58-60页 |
| 4.3.2 薄膜厚度的影响 | 第60-61页 |
| 4.3.3 ZnSnO_3薄膜的抗疲劳特性 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70-71页 |
