中文摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第9-19页 |
1.1 课题研究背景及研究意义 | 第9-10页 |
1.2 ZnO半导体材料简介 | 第10-12页 |
1.2.1 ZnO基本性质 | 第10-11页 |
1.2.2 ZnO晶体结构 | 第11页 |
1.2.3 ZnO的缺陷 | 第11-12页 |
1.3 纳米ZnO的研究现状及发展趋势 | 第12-18页 |
1.3.1 ZnO纳米材料制备方法研究现状 | 第12-15页 |
1.3.2 掺杂ZnO纳米材料研究现状 | 第15-17页 |
1.3.3 ZnO纳米材料的发展趋势 | 第17-18页 |
1.4 论文研究的主要内容 | 第18页 |
1.5 本章小结 | 第18-19页 |
第2章 ZnO纳米棒薄膜的制备及表征 | 第19-30页 |
2.1 溶胶凝胶法 | 第19-20页 |
2.2 主要试剂和仪器 | 第20-21页 |
2.2.1 主要试剂 | 第20-21页 |
2.2.2 主要仪器 | 第21页 |
2.3 ZnO纳米棒薄膜的制备过程 | 第21-26页 |
2.3.1 溶胶的制备 | 第21-23页 |
2.3.2 基片的选择与清洗 | 第23-24页 |
2.3.3 薄膜的涂覆 | 第24-25页 |
2.3.4 干燥预处理 | 第25页 |
2.3.5 高温退火 | 第25-26页 |
2.4 ZnO纳米棒薄膜的表征 | 第26-28页 |
2.4.1 X射线衍射分析(XRD) | 第26-27页 |
2.4.2 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第27-28页 |
2.5 本章小结 | 第28-30页 |
第3章 In掺杂ZnO纳米棒薄膜的制备及表征 | 第30-35页 |
3.1 主要试剂和仪器 | 第30-31页 |
3.1.1 主要试剂 | 第30页 |
3.1.2 主要仪器 | 第30-31页 |
3.2 In掺杂ZnO纳米棒薄膜的制备过程 | 第31-32页 |
3.3 In掺杂ZnO纳米棒薄膜的表征 | 第32-34页 |
3.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第32-33页 |
3.3.2 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第33-34页 |
3.4 本章小结 | 第34-35页 |
第4章 气敏材料气敏机理与气敏元件制作 | 第35-44页 |
4.1 气敏材料气敏机理 | 第35-36页 |
4.1.1 体原子价控制模型 | 第35页 |
4.1.2 表面电导控制模型 | 第35-36页 |
4.1.3 晶界势垒模型 | 第36页 |
4.2 ZnO纳米棒对乙醇气体的气敏机理 | 第36-39页 |
4.3 ZnO气敏元件的制备 | 第39-43页 |
4.3.1 气敏元件的结构 | 第39-40页 |
4.3.2 叉指电极的设计 | 第40-42页 |
4.3.3 气敏元件制作的基本工艺流程 | 第42-43页 |
4.4 本章小结 | 第43-44页 |
第5章 ZnO气敏材料性能检测与分析 | 第44-52页 |
5.1 气敏测试系统 | 第44-45页 |
5.2 气敏元件主要测试参数 | 第45-46页 |
5.2.1 灵敏度 | 第45页 |
5.2.2 工作温度 | 第45页 |
5.2.3 选择性 | 第45-46页 |
5.2.4 响应和恢复时间 | 第46页 |
5.3 ZnO材料对乙醇气敏性能测试 | 第46-51页 |
5.3.1 In掺杂ZnO纳米棒对乙醇灵敏度的测试 | 第46-47页 |
5.3.2 In掺杂ZnO纳米棒工作温度的测试 | 第47-48页 |
5.3.3 In掺杂ZnO纳米棒选择性的测试 | 第48-50页 |
5.3.4 In掺杂ZnO纳米棒响应时间与恢复时间的测试 | 第50-51页 |
5.4 本章小结 | 第51-52页 |
结论 | 第52-54页 |
参考文献 | 第54-60页 |
致谢 | 第60页 |