基于铌酸锂晶体平面光波导的写入及其实验研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 课题研究的目的与意义 | 第10-11页 |
| 1.3 平面光波导写入的国内外发展现状 | 第11-14页 |
| 1.3.1 平面波导传统制作工艺 | 第11-12页 |
| 1.3.2 光写入波导技术发展现状 | 第12-13页 |
| 1.3.3 光折变晶体内光写入波导技术发展现状 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 光波导写入材料的光折变效应 | 第16-28页 |
| 2.1 光折变效应的定义与特点 | 第16-21页 |
| 2.1.1 光折变效应的定义 | 第16页 |
| 2.1.2 光折变效应物理机制 | 第16-21页 |
| 2.1.3 光折变效应主要特点 | 第21页 |
| 2.2 光折变效应的基本方程 | 第21-26页 |
| 2.2.1 存在条件 | 第21-22页 |
| 2.2.2 带运输模型 | 第22-24页 |
| 2.2.3 光致空间电荷场 | 第24-26页 |
| 2.3 光折变材料概述 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 基于铌酸锂晶体平面光波导写入的理论分析 | 第28-34页 |
| 3.1 铌酸锂晶体的基本结构 | 第28-29页 |
| 3.2 辐照光下掺铁铌酸锂晶体的光致折射率变化 | 第29-32页 |
| 3.2.1 铌酸锂晶体的光折变中心 | 第29页 |
| 3.2.2 铌锂晶体的光致折射率变化 | 第29-32页 |
| 3.3 掺铁铌酸锂的性能 | 第32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第4章 实验室制备基于铌酸锂晶体平面光波导结构 | 第34-49页 |
| 4.1 双棱镜法调制干涉光场 | 第34-44页 |
| 4.1.1 双棱镜法中虚光源位置的讨论 | 第35-37页 |
| 4.1.2 双棱镜放置方式对干涉光场的影响 | 第37-43页 |
| 4.1.3 双棱镜法测量光波长 | 第43-44页 |
| 4.2 铌酸锂晶体内波导写入的光路设计 | 第44-45页 |
| 4.3 光路系统单元器件 | 第45-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 铌酸锂晶体中写入波导的特性分析 | 第49-58页 |
| 5.1 用切片干涉法测量波导结构的折射率分布 | 第49-52页 |
| 5.1.1 切片干法光路 | 第49-51页 |
| 5.1.2 切片干涉法原理 | 第51-52页 |
| 5.2 波导周期的测量 | 第52-53页 |
| 5.3 导光测试 | 第53-55页 |
| 5.4 抗光损伤测试 | 第55-56页 |
| 5.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
