| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 被动调Q光纤激光器的研究进展 | 第12-19页 |
| 1.2.1 基于非线性偏振旋转技术的被动调Q光纤激光器 | 第14-15页 |
| 1.2.2 基于SESAM的被动调Q光纤激光器 | 第15-16页 |
| 1.2.3 基于CNT的被动调Q光纤激光器 | 第16-17页 |
| 1.2.4 基于新型材料的被动调Q光纤激光器 | 第17-19页 |
| 1.3 全光调控被动调Q光纤激光器的研究进展 | 第19-21页 |
| 1.4 本文主要研究内容与基本框架 | 第21-22页 |
| 第2章 被动调Q光纤激光器的原理 | 第22-32页 |
| 2.1 被动调Q光纤激光器的原理及关键技术 | 第22-28页 |
| 2.1.1 被动调Q的基本原理 | 第22-24页 |
| 2.1.2 被动调Q的关键技术 | 第24-26页 |
| 2.1.3 调Q速率方程理论 | 第26-28页 |
| 2.2 非线性光学材料响应特性 | 第28-31页 |
| 2.2.1 线性吸收 | 第29-30页 |
| 2.2.2 非线性可饱和吸收 | 第30页 |
| 2.2.3 饱和恢复时间 | 第30-31页 |
| 2.3 小结 | 第31-32页 |
| 第3章 全光调控的碲化铋被动调Q光纤激光器 | 第32-41页 |
| 3.1 碲化铋可饱和吸收体 | 第32-35页 |
| 3.1.1 碲化铋可饱和吸收体制备 | 第32-33页 |
| 3.1.2 碲化铋的交叉吸收调制特性 | 第33-35页 |
| 3.2 硒化铋全光调控被动调Q光纤激光器 | 第35-40页 |
| 3.2.1 实验装置 | 第35-36页 |
| 3.2.2 实验结论及讨论 | 第36-40页 |
| 3.3 小结 | 第40-41页 |
| 第4章 全光调控的金纳米棒被动调Q光纤激光器 | 第41-50页 |
| 4.1 金纳米棒可饱和吸收体 | 第41-45页 |
| 4.1.1 金纳米棒可饱和吸收体制备 | 第41-43页 |
| 4.1.2 金纳米棒的调制特性 | 第43-45页 |
| 4.2 金纳米棒全光调控被动调Q光纤激光器 | 第45-49页 |
| 4.2.1 实验装置 | 第45-46页 |
| 4.2.2 实验结论及讨论 | 第46-49页 |
| 4.3 小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文 | 第60页 |