| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9页 |
| 1.2 二维层状材料的研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 黑磷的概述 | 第11-15页 |
| 1.3.1 黑磷的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.3.2 单层黑磷的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.3.3 单层黑磷的应用前景 | 第13-14页 |
| 1.3.4 单层黑磷的改性方法 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的研究目的和内容 | 第15-16页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第15页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第15-16页 |
| 2 理论研究方法 | 第16-27页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第16-22页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第16-17页 |
| 2.1.2 单电子近似 | 第17页 |
| 2.1.3 密度泛函理论(DFT) | 第17-20页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第20-21页 |
| 2.1.5 平面波和赝势 | 第21-22页 |
| 2.2 本论文所采用计算软件包 | 第22-24页 |
| 2.2.1 Vasp程序包简介 | 第23页 |
| 2.2.2 CALYPSO软件包 | 第23-24页 |
| 2.3 声子谱和分子动力学(MD)模拟概述 | 第24-25页 |
| 2.4 能带理论和态密度的概述 | 第25-27页 |
| 2.4.1 能带理论简介 | 第25-26页 |
| 2.4.2 总态密度和分态密度 | 第26-27页 |
| 3 硅、硫、硼掺杂单层黑磷电子结构及性质研究 | 第27-39页 |
| 3.1 本征单层黑磷材料的结构及电子性质 | 第27-30页 |
| 3.1.1 单层黑磷的结构 | 第27-28页 |
| 3.1.2 计算方法 | 第28-29页 |
| 3.1.3 本征单层黑磷的电子性质 | 第29-30页 |
| 3.2 P_(1-x)Y_x掺杂体系的几何结构 | 第30-33页 |
| 3.2.1 结构稳定性 | 第30-33页 |
| 3.3 P_(1-x)Y_x体系的电子特性 | 第33-37页 |
| 3.3.1 P_(1-x)Y_x掺杂体系的能带结构 | 第33-35页 |
| 3.3.2 P_(35/36)Y_(1/36)掺杂体系的态密度 | 第35-36页 |
| 3.3.3 P_(35/36)Y_(1/36)体系的局域电荷密度图 | 第36-37页 |
| 3.4 P_(0.5)B_(0.5)体系的研究 | 第37-38页 |
| 3.5 小结 | 第38-39页 |
| 4 单层六方磷化硼材料的理论研究 | 第39-53页 |
| 4.1 计算模型和计算方法 | 第39-42页 |
| 4.1.1 计算模型 | 第39-41页 |
| 4.1.2 计算方法 | 第41-42页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第42-52页 |
| 4.2.1 全局最优结构 | 第42页 |
| 4.2.2 结构稳定性 | 第42-44页 |
| 4.2.3 能带结构和态密度 | 第44-47页 |
| 4.2.4 电荷密度 | 第47-48页 |
| 4.2.5 力学性质 | 第48-49页 |
| 4.2.6 载流子迁移率 | 第49-50页 |
| 4.2.7 化学稳定性 | 第50-52页 |
| 4.3 小结 | 第52-53页 |
| 5 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 总结 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |
| 附录 | 第63页 |
| A.攻读硕士期间的科研成果: | 第63页 |
