| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 OTFTs的历史背景及发展现状 | 第8-9页 |
| 1.3 OTFTs的应用前景 | 第9-11页 |
| 1.4 OTFTs研究中的问题 | 第11页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第11-12页 |
| 2 OTFTs器件的相关理论概述 | 第12-30页 |
| 2.1 OTFTs器件的基本结构与制备工艺 | 第12-15页 |
| 2.1.1 基本结构 | 第12-13页 |
| 2.1.2 制备工艺 | 第13-15页 |
| 2.2 OTFTs器件的工作原理与电荷传输模型 | 第15-18页 |
| 2.2.1 工作原理 | 第15-17页 |
| 2.2.2 电荷传输模型 | 第17-18页 |
| 2.3 评价OTFTs器件性能的主要参数 | 第18-20页 |
| 2.4 OTFTs器件的常见材料及性能 | 第20-30页 |
| 2.4.1 n型有机半导体材料 | 第20-24页 |
| 2.4.2 P型有机半导体材料 | 第24-27页 |
| 2.4.3 双极性有机半导体材料 | 第27-30页 |
| 3 膦酸分子自组装 | 第30-38页 |
| 3.1 引言 | 第30-33页 |
| 3.1.1 自组装分子的类型 | 第31-32页 |
| 3.1.2 自组装分子的制备方法 | 第32页 |
| 3.1.3 膦酸自组装分子的选择 | 第32-33页 |
| 3.2 实验器材 | 第33页 |
| 3.3 制备膦酸自组装薄膜 | 第33-34页 |
| 3.3.1 基片的清洗 | 第33-34页 |
| 3.3.2 制备自组装薄膜 | 第34页 |
| 3.4 SAMs分子薄膜的表征 | 第34-36页 |
| 3.4.1 接触角 | 第34-35页 |
| 3.4.2 ODPA SAMs薄膜的表面形貌 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 4 基于NDI衍生物的n型OTFTs器件的制备与研究 | 第38-70页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 实验器材 | 第38页 |
| 4.3 萘四酰亚二胺类衍生物的合成与表征 | 第38-48页 |
| 4.3.1 化学合成 | 第39-41页 |
| 4.3.2 NDI衍生物的热稳定性 | 第41-44页 |
| 4.3.3 NDI衍生物的LUMO能级测定 | 第44-48页 |
| 4.4 制备OTFTs器件 | 第48-50页 |
| 4.5 OTFTs器件的性能表征 | 第50-63页 |
| 4.5.1 输出特性曲线 | 第50-53页 |
| 4.5.2 载流子迁移率（μ）、阈值电压（VT）、电流开关比（Ion/off） | 第53-63页 |
| 4.6 有源层薄膜的形貌 | 第63-68页 |
| 4.6.1 X射线衍射（XRD）表征 | 第63-66页 |
| 4.6.2 原子力显微镜（AFM）表征 | 第66-68页 |
| 4.7 本章小结 | 第68-70页 |
| 5 结论与展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-84页 |
| 附录 | 第84-87页 |