片上高速缓存可靠性研究
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第一章 前言 | 第13-21页 |
| 1.1 高速缓存在计算机系统中的地位和作用 | 第13-14页 |
| 1.2 高速缓存的层次结构及其操作模式 | 第14-17页 |
| 1.2.1 一级高速缓存 | 第14-15页 |
| 1.2.2 二级高速缓存 | 第15-16页 |
| 1.2.3 三级高速缓存 | 第16页 |
| 1.2.4 高速缓存的操作模式 | 第16-17页 |
| 1.3 高速缓存的技术工艺 | 第17-19页 |
| 1.3.1 SRAM技术 | 第18页 |
| 1.3.2 DRAM技术 | 第18-19页 |
| 1.4 高速缓存可靠性问题 | 第19-20页 |
| 1.5 本文的组织结构 | 第20-21页 |
| 第二章 高速缓存软错误的研究 | 第21-49页 |
| 2.1 软错误的来源及其影响 | 第21-22页 |
| 2.1.1 软错误的产生 | 第21-22页 |
| 2.1.2 软错误的影响 | 第22页 |
| 2.2 相关研究的讨论 | 第22-24页 |
| 2.2.1 AVF模型 | 第22-23页 |
| 2.2.2 TVF模型 | 第23-24页 |
| 2.3 SICVF模型及优化方案 | 第24-32页 |
| 2.3.1 SICVF模型的建立 | 第25-26页 |
| 2.3.2 基于SICVF模型的优化方案 | 第26-32页 |
| 2.4 实验评估 | 第32-41页 |
| 2.4.1 实验环境 | 第32-33页 |
| 2.4.2 TVF在不同粒度下的比较 | 第33-36页 |
| 2.4.3 基于SICVF模型的优化方案 | 第36-41页 |
| 2.5 模拟错误注入 | 第41-43页 |
| 2.6 优化方案与CCI的结合 | 第43-47页 |
| 2.7 本章小结 | 第47-49页 |
| 第三章 非易失性高速缓存可靠性的研究 | 第49-85页 |
| 3.1 背景介绍 | 第49-53页 |
| 3.1.1 传统技术的挑战 | 第49-50页 |
| 3.1.2 新型技术的期盼 | 第50-52页 |
| 3.1.3 潜在技术的出现 | 第52-53页 |
| 3.2 相关研究工作 | 第53-64页 |
| 3.2.1 细粒度下的写过滤 | 第53-55页 |
| 3.2.2 混合存储结构：DRAM和PCM的结合 | 第55-57页 |
| 3.2.3 起始-间隔负载均衡算法 | 第57-60页 |
| 3.2.4 组间-组内写均衡策略 | 第60-64页 |
| 3.3 利用窄宽值提高非易失性高速缓存的可靠性 | 第64-73页 |
| 3.3.1 非易失性高速缓存的优缺点 | 第64-65页 |
| 3.3.2 窄宽值分析 | 第65-66页 |
| 3.3.3 使用寿命提高的衡量标准 | 第66-67页 |
| 3.3.4 基于窄宽字的优化方案 | 第67-71页 |
| 3.3.5 多个写标记位方案 | 第71-72页 |
| 3.3.6 选择性写前读方案 | 第72页 |
| 3.3.7 优化方案对能耗的贡献 | 第72-73页 |
| 3.4 实验评估 | 第73-82页 |
| 3.4.1 实验环境 | 第73-75页 |
| 3.4.2 窄宽字的分布 | 第75-76页 |
| 3.4.3 窄宽字写与写到达交换的结合 | 第76-78页 |
| 3.4.4 窄宽字写与阀值交换的结合 | 第78-79页 |
| 3.4.5 窄宽字写与半使用期交换的结合 | 第79页 |
| 3.4.6 窄宽字写与替换时交换的结合 | 第79-80页 |
| 3.4.7 结合多个写标记位的效果 | 第80页 |
| 3.4.8 结合选择性写前读的效果 | 第80-81页 |
| 3.4.9 能耗评估 | 第81-82页 |
| 3.5 本章小结 | 第82-85页 |
| 第四章 总结与展望 | 第85-89页 |
| 4.1 本文工作的总结 | 第85-87页 |
| 4.2 进一步工作展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 附录 | 第97-99页 |
