| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 研究背景与文献综述 | 第13-31页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 集成电路的制造工艺 | 第13-16页 |
| 1.3 二氧化硅简介 | 第16-18页 |
| 1.3.1 二氧化硅的结构与性质 | 第16-17页 |
| 1.3.2 二氧化硅的用途 | 第17-18页 |
| 1.4 二氧化硅与水体系的研究 | 第18-20页 |
| 1.5 液体浸入多孔材料的研究 | 第20-21页 |
| 1.6 选题意义和本论文的工作 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-31页 |
| 第二章 分子动力学模拟方法 | 第31-58页 |
| 2.1 引言 | 第31-32页 |
| 2.2 基本原理 | 第32-33页 |
| 2.3 运动方程求解 | 第33-40页 |
| 2.3.1 Verlet算法 | 第34-35页 |
| 2.3.2 Leap-frog算法 | 第35-36页 |
| 2.3.3 Velocity-Verlet算法 | 第36-38页 |
| 2.3.4 Beeman算法 | 第38-40页 |
| 2.4 势函数 | 第40-46页 |
| 2.4.1 成键相互作用能 | 第40-42页 |
| 2.4.2 非键相互作用能 | 第42-44页 |
| 2.4.3 常用力场 | 第44-46页 |
| 2.5 周期性边界条件 | 第46-47页 |
| 2.6 统计系综 | 第47-49页 |
| 2.7 温度和压力控制 | 第49-51页 |
| 2.7.1 温度控制 | 第49-50页 |
| 2.7.2 压力控制 | 第50-51页 |
| 2.8 分子动力学模拟基本步骤 | 第51-53页 |
| 2.9 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 第三章 不同深宽比二氧化硅纳米孔洞中水浸入行为的研究 | 第58-75页 |
| 3.1 引言 | 第58页 |
| 3.2 建模与模拟方法 | 第58-61页 |
| 3.2.1 模型构建 | 第58-61页 |
| 3.2.2 模拟细节 | 第61页 |
| 3.3 水浸入不同深宽比二氧化硅纳米孔洞的过程分析 | 第61-66页 |
| 3.4 深宽比对水浸入速率的影响 | 第66-68页 |
| 3.5 模拟过程中水分子数量对水浸入速率的影响 | 第68-71页 |
| 3.6 水浸入过程机理分析 | 第71页 |
| 3.7 本章小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第四章 不同深宽比二氧化硅纳米孔洞中铜盐溶液浸入行为的研究 | 第75-92页 |
| 4.1 引言 | 第75页 |
| 4.2 建模与模拟方法 | 第75-77页 |
| 4.2.1 体系构建 | 第75-76页 |
| 4.2.2 模拟细节 | 第76-77页 |
| 4.3 铜盐溶液浸入二氧化硅纳米孔洞的过程分析 | 第77-79页 |
| 4.4 深宽比对铜盐溶液浸入速率的影响 | 第79-82页 |
| 4.5 溶液浓度对浸入速率的影响 | 第82-86页 |
| 4.6 不同深宽比纳米孔洞中铜离子的浓度分布 | 第86-88页 |
| 4.7 本章小结 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-92页 |
| 第五章 结论与展望 | 第92-94页 |
| 5.1 工作小结 | 第92-93页 |
| 5.2 展望 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 硕士期间成果 | 第95页 |
