| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-41页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第13-15页 |
| 1.2 神经突触 | 第15-19页 |
| 1.2.1 神经突触概述 | 第15-16页 |
| 1.2.2 神经突触的可塑性及其学习机制 | 第16-19页 |
| 1.3 类突触器件 | 第19-33页 |
| 1.3.1 类突触器件概述 | 第19-25页 |
| 1.3.2 类突触器件分类 | 第25-33页 |
| 1.3.2.1 忆阻器型类突触器件 | 第26-28页 |
| 1.3.2.2 相变型类突触器件 | 第28-30页 |
| 1.3.2.3 原子开关型类突触器件 | 第30-31页 |
| 1.3.2.4 晶体管型类突触器件 | 第31-33页 |
| 1.3.2.5 光电类突触器件 | 第33页 |
| 1.4 二维材料异质结 | 第33-39页 |
| 1.4.1 二维材料概述 | 第33-37页 |
| 1.4.1.1 MoS_2简介 | 第34-36页 |
| 1.4.1.2 GaSe简介 | 第36-37页 |
| 1.4.2 二维材料异质结及其光电响应特性 | 第37-39页 |
| 1.5 本文的选题依据和主要研究内容 | 第39-40页 |
| 1.6 本论文的结构安排 | 第40-41页 |
| 第二章 实验内容和实验仪器 | 第41-50页 |
| 2.1 实验方案 | 第41-42页 |
| 2.1.1 MoS_2和GaSe纳米薄片及其异质结类突触器件制备 | 第41-42页 |
| 2.1.2 类突触器件光脉冲刺激突触可塑性测试 | 第42页 |
| 2.1.3 类突触器件电脉冲刺激突触可塑性测试 | 第42页 |
| 2.2 实验使用材料及试剂 | 第42-43页 |
| 2.3 类突触器件制备相关设备 | 第43-45页 |
| 2.3.1 超声波清洗机 | 第43页 |
| 2.3.2 匀胶机 | 第43页 |
| 2.3.3 加热台 | 第43-44页 |
| 2.3.4 无掩模光刻机 | 第44页 |
| 2.3.5 超景深显微镜 | 第44-45页 |
| 2.3.6 微位移台 | 第45页 |
| 2.3.7 快速退火炉 | 第45页 |
| 2.4 表征设备 | 第45-50页 |
| 2.4.1 光学显微镜 | 第45-46页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第46页 |
| 2.4.3 原子力显微镜 | 第46-47页 |
| 2.4.4 拉曼光谱仪 | 第47-48页 |
| 2.4.5 数字源表 | 第48页 |
| 2.4.6 示波器 | 第48页 |
| 2.4.7 函数发生器 | 第48页 |
| 2.4.8 激光器及激光功率计 | 第48-49页 |
| 2.4.9 光电测试系统搭建 | 第49-50页 |
| 第三章 MOS_2/GASE异质结类突触器件的制备与光刺激突触可塑性 | 第50-64页 |
| 3.1 引言 | 第50-51页 |
| 3.2 MOS_2/GASE异质结类突触器件的制备 | 第51-55页 |
| 3.2.1 ITO源漏电极制备 | 第51页 |
| 3.2.2 少层MoS_2/GaSe及其异质结制备 | 第51-54页 |
| 3.2.3 MoS_2/GaSe异质结的表征 | 第54-55页 |
| 3.3 MOS_2/GASE异质结类突触器件的基本光电特性 | 第55-58页 |
| 3.3.1 MoS_2/GaSe异质结的整流特性 | 第55-56页 |
| 3.3.2 MoS_2/GaSe异质结的光电响应 | 第56-58页 |
| 3.4 MOS_2/GASE异质结类突触器件的光刺激突触可塑性 | 第58-62页 |
| 3.4.1 器件的突触后兴奋电流 | 第58-60页 |
| 3.4.2 器件的生物滤波特性模拟 | 第60页 |
| 3.4.3 器件的长时程可塑性 | 第60-62页 |
| 3.4.4 器件的双脉冲易化 | 第62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 背栅型MOS_2/GASE异质结类突触器件的制备与电刺激突触可塑性 | 第64-74页 |
| 4.1 引言 | 第64页 |
| 4.2 器件的制备 | 第64-66页 |
| 4.3 器件的电刺激突触可塑性 | 第66-72页 |
| 4.3.1 器件的基本电学性能及其机理分析 | 第66-67页 |
| 4.3.2 器件的突触后兴奋电流与抑制电流 | 第67-69页 |
| 4.3.3 器件的滤波特性 | 第69-70页 |
| 4.3.4 器件的长时程可塑性 | 第70-71页 |
| 4.3.5 器件的双脉冲易化 | 第71-72页 |
| 4.4 器件在光电耦合刺激下的尖峰时序可塑性 | 第72-73页 |
| 4.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第74-76页 |
| 5.1 全文总结 | 第74-75页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第83页 |
