面向嵌入式应用的阻变式存储器和动态随机存储器的测试表征及优化
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第6-24页 |
| 1.1 嵌入式系统简介 | 第6-9页 |
| 1.1.1 嵌入式系统的发展历史 | 第6页 |
| 1.1.2 嵌入式系统的特点和现状 | 第6-7页 |
| 1.1.3 嵌入式系统的结构和工作原理 | 第7-9页 |
| 1.2 嵌入式存储器简介 | 第9-13页 |
| 1.2.1 嵌入式存储器的历史 | 第9-10页 |
| 1.2.2 嵌入式存储器的分类 | 第10-12页 |
| 1.2.3 存储器的发展趋势 | 第12-13页 |
| 1.3 新型阻变式存储器和动态随机存储器简介 | 第13-21页 |
| 1.3.1 新型阻变式存储器简介 | 第14-18页 |
| 1.3.2 基于浮体单元的动态随机存储器简介 | 第18-20页 |
| 1.3.3 基于增益单元的动态随机存储器简介 | 第20-21页 |
| 1.4 存储器的表征和测试 | 第21-22页 |
| 1.5 论文的主要工作和结构安排 | 第22-24页 |
| 第二章 新型阻变存储器的测试表征及优化 | 第24-35页 |
| 2.1 RRAM单元表征参数 | 第24-25页 |
| 2.2 研究对象和测试平台的选择 | 第25-26页 |
| 2.3 RRAM初态均匀性的优化 | 第26-29页 |
| 2.4 RRAM写操作成功率的优化 | 第29-34页 |
| 2.4.1 SET成功率与操作算法的关系 | 第29-30页 |
| 2.4.2 RESET成功率与操作算法的关系 | 第30-33页 |
| 2.4.3 写成功率与工艺的关系 | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 阻变式存储器的抗辐照性能研究 | 第35-50页 |
| 3.1 辐射环境简介 | 第35-36页 |
| 3.2 辐射效应 | 第36-38页 |
| 3.2.1 电离辐射效应 | 第36-37页 |
| 3.2.2 位移辐射效应 | 第37-38页 |
| 3.3 RRAM总剂量辐射效应研究 | 第38-48页 |
| 3.3.1 实验目标 | 第38页 |
| 3.3.2 实验方案 | 第38-40页 |
| 3.3.3 RRAM单元总剂量辐照特性 | 第40-41页 |
| 3.3.4 RRAM芯片总剂量辐照特性 | 第41-46页 |
| 3.3.5 实验结果分析 | 第46-48页 |
| 3.4 工艺改进及设计优化 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 新型动态存储器的测试表征及优化 | 第50-64页 |
| 4.1 FBC单元的测试表征及优化 | 第50-56页 |
| 4.1.1 FBC单元的表征参数 | 第50页 |
| 4.1.2 1T FBC 工艺优化 | 第50-51页 |
| 4.1.3 1T FBC算法优化 | 第51-55页 |
| 4.1.4 2T FBC功能验证 | 第55-56页 |
| 4.2 GC芯片的测试表征及优化 | 第56-63页 |
| 4.2.1 GC单元功能验证 | 第56-57页 |
| 4.2.2 外围电路的功能验证 | 第57-59页 |
| 4.2.3 整体芯片的测试及优化 | 第59-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
