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晶体硅切割废料制备氮化硅结合碳化硅材料的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-9页
第1章 绪论第13-27页
    1.1 氮化硅碳化硅的概述第13-14页
        1.1.1 氮化硅结合碳化硅第13页
        1.1.2 氮化硅结合碳化硅的研究进展第13-14页
    1.2 太阳能级晶体硅切割废料的产生第14-16页
    1.3 国内外多晶硅切割废料浆回收情况第16-17页
    1.4 反应烧结氮化硅结合碳化硅制品的制备第17-21页
        1.4.1 SiC制品的成型工艺第17页
        1.4.2 氮化硅的结构种类及性质第17-18页
        1.4.3 反应烧结技术第18页
        1.4.4 氮化硅结合碳化硅反应机理第18-20页
        1.4.5 反应烧结氮化硅结合碳化硅材料的制备工艺及其机理第20-21页
    1.5 氮化硅结合碳化硅制品微观结构和性能及其影响因素第21-23页
        1.5.1 氮化硅结合碳化硅制品微观结构第21-22页
        1.5.2 氮化硅结合碳化硅制品性能影响因素第22-23页
    1.6 氮化硅结合碳化硅制品主要用途第23-24页
    1.7 本文研究目的、意义及内容第24-27页
        1.7.1 研究目的和意义第24页
        1.7.2 研究内容第24-27页
第2章 实验设备及检测方法第27-35页
    2.1 实验方案第27-28页
    2.2 实验原料及设备第28-29页
        2.2.1 实验原料第28页
        2.2.2 实验设备第28-29页
    2.3 碳化硅制品性能检测方法第29-35页
        2.3.1 碳化硅制品的成分和结构检测第29-31页
        2.3.2 密度与气孔率的测定第31-32页
        2.3.3 抗压强度与抗折强度的测定第32-35页
第3章 晶体硅切割废料的物性研究第35-43页
    3.1 引言第35页
    3.2 物相分析第35-36页
    3.3 化学组成第36页
    3.4 主要成分含量的测定第36-39页
        3.4.1 晶体硅切割废料中硅的定量分析第36-38页
        3.4.2 晶体硅切割废料中碳化硅的定量分析第38-39页
    3.5 粒度分布第39-40页
    3.6 切割废料主要成分的物理化学性质第40页
    3.7 本章小结第40-43页
第4章 晶体硅切割废料的坯体制备第43-49页
    4.1 引言第43页
    4.2 坯体压制实验过程第43-44页
    4.3 粘结剂选择以及含量对坯体密度的影响第44-45页
    4.4 压力对坯体密度的影响第45-46页
    4.5 保压时间对坯体密度的影响第46-47页
    4.6 最优条件下坯体压制第47页
    4.7 本章小结第47-49页
第5章 晶体硅切割废料的氮化实验研究第49-69页
    5.1 引言第49页
    5.2 实验原理第49-50页
    5.3 二硅化铝炉恒温区的测定第50-51页
    5.4 氮化曲线测定及设定二硅化钼炉升温制度第51-52页
        5.4.1 氮化曲线的测定第51页
        5.4.2 二硅化钼炉升温制度第51-52页
    5.5 氮化试验过程第52页
    5.6 实验产物的外貌第52-53页
    5.7 最终氮化温度的实验研究第53-54页
    5.8 氮化时间的实验研究第54-58页
    5.9 坯体密度的实验研究第58-60页
    5.10 坯体厚度的实验研究第60-61页
    5.11 不同硅含量的实验研究第61-65页
    5.12 最优条件下高温氮化制品性能第65-66页
    5.13 本章小结第66-69页
第6章 结论第69-71页
参考文献第71-75页
致谢第75-77页
个人简历第77页

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