| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 金属纳米结构四波混频过程的研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 表面等离子体激发的研究现状及应用前景 | 第10-14页 |
| 1.2.1 表面等离子体线性激发的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 表面等离子体的非线性激发的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 本论文的研究目的及意义 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的主要内容 | 第15-16页 |
| 第2章 金属平面四波混频过程的理论分析 | 第16-30页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 金属—电介质单界面的折射和反射系数 | 第16-20页 |
| 2.3 金属平面四波混信号的分析 | 第20-28页 |
| 2.3.1 空气—金属结构的非简并四波混频理论分析 | 第20-24页 |
| 2.3.2 金属平面非简并四波混频在特殊边界条件下的具体解析式 | 第24-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第3章 金属平面四波混频信号强度的分析 | 第30-41页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 金属平面四波混频信号区域的划分 | 第30-32页 |
| 3.3 金属平面四波混频信号强度随入射角的分布 | 第32-34页 |
| 3.3.1 TM模式的四波混频信号强度分布 | 第32-34页 |
| 3.3.2 TE模式的四波混频信号强度分布 | 第34页 |
| 3.4 影响四波混频强度的因素 | 第34-37页 |
| 3.4.1 入射角对四波混频信号强度的影响 | 第34-36页 |
| 3.4.2 入射光的偏振态和极化张量元对四波混频信号强度影响的分析 | 第36-37页 |
| 3.5 金属平面四波混频过程激发表面等离子体 | 第37-40页 |
| 3.5.1 表面等离子体的激发条件 | 第37-39页 |
| 3.5.2 金属四波混频激发表面等离子的角度优化 | 第39-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 金属纳米结构四波混频信号强度的增强 | 第41-55页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 介质层对金属平面四波混频信号强度增强的分析 | 第41-46页 |
| 4.2.1 介质层对金属四平面波混频信号强度增强的理论分析 | 第41-44页 |
| 4.2.2 介质层对四波混频强度增强的数值模拟 | 第44-46页 |
| 4.3 金属纳米薄膜四波混频过程的分析 | 第46-54页 |
| 4.3.1 金属纳米薄膜四波混频信号解析解的分析 | 第48-52页 |
| 4.3.2 金属纳米薄膜四波混频信号增强的分析 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
