| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11-17页 |
| 1.1.1 高折射率差亚波长光栅 | 第11-13页 |
| 1.1.2 基于亚波长光栅的光电探测器 | 第13-17页 |
| 1.2 论文结构安排 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章 高折射率差亚波长光栅理论分析方法 | 第23-35页 |
| 2.1 理论分析方法概述 | 第23-24页 |
| 2.2 数值方法 | 第24-31页 |
| 2.2.1 严格耦合波分析法 | 第24-26页 |
| 2.2.2 有限元法 | 第26-30页 |
| 2.2.3 时域有限差分法 | 第30-31页 |
| 2.3 等效介质一阶近似法 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 高折射率差亚波长光栅的特性分析 | 第35-61页 |
| 3.1 基于有限元法的仿真方法 | 第35-40页 |
| 3.1.1 仿真软件概述 | 第35-36页 |
| 3.1.2 基于FEM仿真模型的可靠性验证 | 第36-40页 |
| 3.2 宽反射谱特性 | 第40-41页 |
| 3.3 高折射率差亚波长光栅偏振器 | 第41-53页 |
| 3.3.1 高折射率差亚波长偏振光栅 | 第41-42页 |
| 3.3.2 HCG偏振器概述 | 第42-43页 |
| 3.3.3 结构设计和仿真分析 | 第43-47页 |
| 3.3.4 角度特性与制备容差 | 第47-53页 |
| 3.4 非周期高折射率差亚波长光栅 | 第53-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第四章 高折射率差亚波长光栅的制备工艺和实验 | 第61-71页 |
| 4.1 HCG的制备工艺 | 第61-65页 |
| 4.1.1 基于SOI的HCG的制备流程 | 第61-62页 |
| 4.1.2 电子束光刻 | 第62-64页 |
| 4.1.3 感应耦合等离子体反应离子刻蚀技术 | 第64-65页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第65-68页 |
| 4.2.1 HCG的实际制备 | 第65-66页 |
| 4.2.2 实验结果分析 | 第66-68页 |
| 4.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第五章 基于高折射率差亚波长光栅的高性能长波长硅基PIN光探测器 | 第71-81页 |
| 5.1 基于HCG的漂移增强型多p-n结PIN光探测器的基本结构 | 第72页 |
| 5.2 基于HCG的漂移增强型多p-n结PIN光探测器的理论分析 | 第72-75页 |
| 5.2.1 器件的量子效率性能分析 | 第72-73页 |
| 5.2.2 器件的高速响应性能分析 | 第73-75页 |
| 5.3 基于HCG的漂移增强型多p-n结PIN光探测器的优化设计 | 第75-78页 |
| 5.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第83页 |
