| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 TFT技术国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.1 LTPS TFT(低温多晶硅)技术 | 第12-13页 |
| 1.2.2 a-Si(非晶硅薄膜晶体管) TFT技术 | 第13-14页 |
| 1.2.3 IGZO-TFT氧化物技术技术 | 第14-16页 |
| 1.3 a-Si:H TFT结构及工作原理 | 第16-17页 |
| 1.3.1 a-Si:H TFT器件结构 | 第16页 |
| 1.3.2 a-Si:H TFT工作原理 | 第16-17页 |
| 1.4 本文研究意义与内容 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜晶体管制备及表征 | 第18-27页 |
| 2.1 薄膜晶体管整体制程工艺 | 第18页 |
| 2.2 薄膜晶体管成膜工艺 | 第18-21页 |
| 2.2.1 PVD成膜工艺 | 第18-19页 |
| 2.2.2 PECVD成膜工艺 | 第19-21页 |
| 2.3 光刻工艺 | 第21-22页 |
| 2.4 刻蚀工艺 | 第22-23页 |
| 2.5 本次研究所使用到的工艺 | 第23-24页 |
| 2.6 薄膜晶体管器件的表征 | 第24-26页 |
| 2.6.1 场效应迁移率 | 第24-25页 |
| 2.6.2 开关（I_(on)/I_(off)） | 第25页 |
| 2.6.3 阈值电压 | 第25页 |
| 2.6.4 亚阈值摆幅 | 第25-26页 |
| 2.7 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 PECVD成膜机理及氮化硅薄膜性能研究 | 第27-34页 |
| 3.1 CVD成膜简介 | 第27-28页 |
| 3.1.1 等离子体增强化学气相沉积法 | 第27-28页 |
| 3.2 PECVD成膜结构 | 第28-30页 |
| 3.2.1 PECVD沉积非晶硅的机理 | 第29-30页 |
| 3.3 TFT栅绝缘层氮化硅薄膜满足的条件 | 第30-31页 |
| 3.4 PECVD工艺参数对氮化硅薄膜性能研究 | 第31-33页 |
| 3.4.1 沉积温度对薄膜性能影响 | 第31-32页 |
| 3.4.2 等离子功率对薄膜性能影响 | 第32页 |
| 3.4.3 腔室压力对薄膜性能影响 | 第32-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 绝缘层气配比及膜厚对TFT器件的影响 | 第34-39页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 G-SiNx：L层气体配比对TFT电学特性的影响 | 第34-36页 |
| 4.2.1 引言 | 第34页 |
| 4.2.2 TFT器件的制备 | 第34-35页 |
| 4.2.3 G-SiNx气配比对TFT器件影响 | 第35-36页 |
| 4.3 G-SiNx厚度对TFT电学特性的研究 | 第36-38页 |
| 4.3.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.3.2 TFT器件的制备 | 第37页 |
| 4.3.3 G-SiNx厚度对TFT电学特性影响 | 第37-38页 |
| 4.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第五章 有源层气配比及膜厚对TFT器件的影响 | 第39-45页 |
| 5.1 引言 | 第39-40页 |
| 5.2 沟道层a-Si蚀刻后剩余厚度对TFT电学特性的影响 | 第40-42页 |
| 5.2.1 引言 | 第40页 |
| 5.2.2 TFT器件的制备 | 第40页 |
| 5.2.3 实验结果与讨论 | 第40-42页 |
| 5.3 a-Si气体配比对TFT电学特性的影响 | 第42-44页 |
| 5.3.1 引言 | 第42-43页 |
| 5.3.2 TFT器件的制备 | 第43页 |
| 5.3.3 a-Si气体配比对TFT电学特性的影响 | 第43-44页 |
| 5.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第六章 表面处理及退火对TFT器件的影响 | 第45-53页 |
| 6.1 绝缘层与有源层的界面处理 | 第45-48页 |
| 6.1.1 引言 | 第45页 |
| 6.1.2 TFT器件的制备 | 第45页 |
| 6.1.3 前沟道层的界面处理对TFT电学特性的影响 | 第45-48页 |
| 6.2 Back channel的界面处理 | 第48-49页 |
| 6.2.1 引言 | 第48页 |
| 6.2.2 TFT器件的制备 | 第48页 |
| 6.2.3 Back channel的界面处理对TFT器件的影响 | 第48-49页 |
| 6.3 退火工艺对TFT器件的影响 | 第49-52页 |
| 6.3.1 引言 | 第49-50页 |
| 6.3.2 器件的制备 | 第50页 |
| 6.3.3 退火工艺对TFT器件的影响 | 第50-52页 |
| 6.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第七章 总结与展望 | 第53-54页 |
| 7.1 论文主要内容总结 | 第53页 |
| 7.2 后续工作展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读硕士期间已发表论文 | 第57-59页 |
