| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 传感器 | 第8-10页 |
| 1.1.1 传感器分类及发展趋势 | 第8-9页 |
| 1.1.2 气敏传感器分类 | 第9-10页 |
| 1.1.3 金属氧化物半导体气敏传感器 | 第10页 |
| 1.2 纳米材料 | 第10-12页 |
| 1.3 V_2O_5晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.4 传统气敏传感器的工作机理 | 第13-14页 |
| 1.5 氧化钒基气敏传感器的研究现状及进展 | 第14-15页 |
| 1.6 本课题的主要研究内容与意义 | 第15-17页 |
| 第二章 VO2/V_2O_5网络结构的制备工艺流程和表征分析 | 第17-27页 |
| 2.1 基底的清洁处理和Pt叉指电极的制备 | 第18-20页 |
| 2.2 诱导种子层的制备 | 第20-21页 |
| 2.3 氧化钒纳米带结构的水热可控制备 | 第21-22页 |
| 2.4 实验所用试剂及仪器 | 第22-23页 |
| 2.5 氧化钒纳米网络结构的形貌表征与性能测试 | 第23-27页 |
| 2.5.1 XRD晶体结构表征 | 第23页 |
| 2.5.2 SEM与EDS | 第23-24页 |
| 2.5.3 TEM与SAED | 第24页 |
| 2.5.4 V_2O_5超薄纳米带网络结构传感器的气敏性能测试 | 第24-27页 |
| 第三章 氧化钒纳米带网络结构的水热制备及形貌表征 | 第27-37页 |
| 3.1 诱导种子层 | 第27-29页 |
| 3.1.1 不同生长条件下的V_2O_5诱导层 | 第27-28页 |
| 3.1.2 V_2O_5种子层的生长诱导作用 | 第28-29页 |
| 3.2 水热生长过程中的导向剂与包覆剂EDTA | 第29-31页 |
| 3.3 氧化钒晶体结构的生长机理 | 第31-32页 |
| 3.4 水热时间的不同对产物的影响 | 第32-33页 |
| 3.5 VO2/V_2O_5纳米多级结构的XRD/SEM/TEM表征分析 | 第33-35页 |
| 3.6 VO2/V_2O_5纳米多级结构的TEM/SAED表征分析 | 第35-37页 |
| 第四章 V_2O_5超薄纳米带网络结构传感器的气敏性能 | 第37-47页 |
| 4.1 最佳工艺条件下V_2O_5气敏传感器的形貌表征 | 第37-38页 |
| 4.2 五氧化二钒超薄纳米带网络结构传感器最佳工作温度 | 第38-39页 |
| 4.3 最佳工作温度下V_2O_5超薄纳米带网络结构传感器的气敏性能 | 第39-42页 |
| 4.3.1 V_2O_5超薄纳米带网络结构传感器的快速响应特性 | 第40-42页 |
| 4.3.2 V_2O_5超薄纳米带网络结构传感器的选择性 | 第42页 |
| 4.4 室温下V_2O_5超薄纳米带网络结构传感器的气敏性能 | 第42-44页 |
| 4.4.1 室温下V_2O_5超薄纳米带网络结构传感器的气敏特性 | 第42-43页 |
| 4.4.2 室温下V_2O_5超薄纳米带网络结构传感器的选择性 | 第43-44页 |
| 4.5 五氧化二钒传感器的气敏机理 | 第44-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
