硒化锡单晶生长及其热电性能的研究
| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章. 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 热电材料概论 | 第12-13页 |
| 1.1.1 热电材料研究背景 | 第12-13页 |
| 1.1.2 热电材料研究现状 | 第13页 |
| 1.2 热电基础理论 | 第13-19页 |
| 1.2.1 热电效应 | 第13-16页 |
| 1.2.2 热电材料的性能参数 | 第16-19页 |
| 1.3 晶体生长方法 | 第19-27页 |
| 1.3.1 提拉法 | 第19-20页 |
| 1.3.2 成形提拉法(导模法) | 第20-23页 |
| 1.3.3 坩埚下降法 | 第23-24页 |
| 1.3.4 区熔-移动加热器法 | 第24-25页 |
| 1.3.5 泡生法 | 第25-27页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第27-28页 |
| 第二章. SnSe单晶生长理论基础 | 第28-34页 |
| 2.1 相图 | 第28页 |
| 2.2 成核 | 第28-29页 |
| 2.3 几何淘汰规律 | 第29-30页 |
| 2.4 坩埚的选材与结构的设计 | 第30-32页 |
| 2.5 温场 | 第32-33页 |
| 2.6 其他技术问题 | 第33-34页 |
| 第三章. SnSe多晶料的合成 | 第34-43页 |
| 3.1 合成炉及温场 | 第34页 |
| 3.2 原料性质 | 第34-35页 |
| 3.3 SnSe多晶料的制备 | 第35-38页 |
| 3.4 测试与表征 | 第38-43页 |
| 第四章. SnSe晶体生长 | 第43-48页 |
| 4.1 垂直布里奇曼法生长SnSe单晶 | 第43-45页 |
| 4.2 SnSe晶体结构 | 第45-48页 |
| 第五章. SnSe晶体基本性质测试 | 第48-61页 |
| 5.1 SnSe晶体处理 | 第48-50页 |
| 5.2 SnSe晶体XRD衍射 | 第50-51页 |
| 5.3 SnSe化合物DSC/TGA | 第51-52页 |
| 5.4 SnSe晶体的热膨胀 | 第52-54页 |
| 5.5 SnSe晶体电导率 | 第54-55页 |
| 5.6 SnSe晶体Seebeck系数 | 第55-56页 |
| 5.7 SnSe晶体的功率因子(PF) | 第56-57页 |
| 5.8 SnSe晶体的热导率 | 第57-61页 |
| 第六章. 结论与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 本论文的主要结论 | 第61-62页 |
| 6.2 有待进一步研究的问题 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附件 | 第70页 |
