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4H-SiC纳米结构调制及应用研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第9-22页
    1.1 引言第9页
    1.2 不同晶型SiC的电学特性第9-11页
    1.3 SiC 纳米线制备方法研究进展第11-15页
    1.4 电化学刻蚀机理研究进展第15-17页
    1.5 碳化硅纳米线应用第17-21页
    1.6 本论文研究的主要内容第21-22页
第2章 n-Si电化学刻蚀及侧蚀机理研究第22-34页
    2.1 引言第22页
    2.2 电化学刻蚀系统搭建第22-24页
    2.3 n-Si电化学刻蚀第24-28页
    2.4 n-Si侧蚀机理第28-33页
    2.5 本章总结第33-34页
第3章 4H-SiC纳米结构阵列调制第34-53页
    3.1 引言第34-35页
    3.2 4H-Si C均匀介孔阵列的制备第35-42页
    3.3 4H-Si C纳米线薄膜的制备第42-50页
    3.4 4H-Si C纳米结构的Raman光谱和PL光谱第50-52页
    3.5 本章总结第52-53页
第4章 4H-SiC纳米结构应用初步研究第53-65页
    4.1 纳米结构性能表征手段第53页
    4.2 4H-Si C纳米结构阵列在微型超级电容中的应用研究第53-60页
    4.3 4H-Si C纳米线阵列在冷场发射中的应用研究第60-64页
    4.5 本章总结第64-65页
第5章 总结与展望第65-67页
    5.1 总结第65-66页
    5.2 展望第66-67页
参考文献第67-73页
攻读硕士期间主要研究成果第73-74页
致谢第74页

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