| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 不同晶型SiC的电学特性 | 第9-11页 |
| 1.3 SiC 纳米线制备方法研究进展 | 第11-15页 |
| 1.4 电化学刻蚀机理研究进展 | 第15-17页 |
| 1.5 碳化硅纳米线应用 | 第17-21页 |
| 1.6 本论文研究的主要内容 | 第21-22页 |
| 第2章 n-Si电化学刻蚀及侧蚀机理研究 | 第22-34页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 电化学刻蚀系统搭建 | 第22-24页 |
| 2.3 n-Si电化学刻蚀 | 第24-28页 |
| 2.4 n-Si侧蚀机理 | 第28-33页 |
| 2.5 本章总结 | 第33-34页 |
| 第3章 4H-SiC纳米结构阵列调制 | 第34-53页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 4H-Si C均匀介孔阵列的制备 | 第35-42页 |
| 3.3 4H-Si C纳米线薄膜的制备 | 第42-50页 |
| 3.4 4H-Si C纳米结构的Raman光谱和PL光谱 | 第50-52页 |
| 3.5 本章总结 | 第52-53页 |
| 第4章 4H-SiC纳米结构应用初步研究 | 第53-65页 |
| 4.1 纳米结构性能表征手段 | 第53页 |
| 4.2 4H-Si C纳米结构阵列在微型超级电容中的应用研究 | 第53-60页 |
| 4.3 4H-Si C纳米线阵列在冷场发射中的应用研究 | 第60-64页 |
| 4.5 本章总结 | 第64-65页 |
| 第5章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 总结 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 攻读硕士期间主要研究成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
