| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 GaN的性质 | 第10-13页 |
| 1.2.1 GaN的晶格结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 GaN材料的极化 | 第11-13页 |
| 1.2.3 GaN的电学性质 | 第13页 |
| 1.3 GaN的外延生长 | 第13-17页 |
| 1.3.1 生长GaN的衬底选择 | 第13-14页 |
| 1.3.2 GaN的生长技术 | 第14-17页 |
| 1.4 GaN材料的应用 | 第17-19页 |
| 1.4.1 GaN基光电器件 | 第18页 |
| 1.4.2 GaN基功率电子器件 | 第18-19页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 SI基ALGAN/GAN异质结肖特基二极管的击穿特性 | 第22-42页 |
| 2.1 引言 | 第22-26页 |
| 2.1.1 Si基半导体功率器件 | 第22-23页 |
| 2.1.2 GaN半导体功率器件 | 第23-26页 |
| 2.2 材料表征 | 第26-28页 |
| 2.2.1 外延片 | 第26页 |
| 2.2.2 二维电子气分布 | 第26-28页 |
| 2.3 器件制备 | 第28-32页 |
| 2.3.1 AIGaN/GaN肖特基器件的工艺步骤 | 第28-30页 |
| 2.3.2 肖特基接触和欧姆接触 | 第30页 |
| 2.3.3 工艺流程 | 第30-32页 |
| 2.4 测试方法 | 第32页 |
| 2.5 实验结果与分析 | 第32-38页 |
| 2.5.1 器件的正向Ⅰ-Ⅴ特性 | 第32-34页 |
| 2.5.2 反向小偏压特性 | 第34页 |
| 2.5.3 不同间距器件的击穿特性 | 第34-37页 |
| 2.5.4 钝化层的影响 | 第37-38页 |
| 2.6 本章小结 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 击穿失效分析及场板结构的应用 | 第42-55页 |
| 3.1 引言 | 第42-45页 |
| 3.1.1 微光显微镜EMMI简介 | 第42-44页 |
| 3.1.2 金属电极场板结构 | 第44-45页 |
| 3.2 器件击穿失效分析 | 第45-47页 |
| 3.2.0 实验预期 | 第45-46页 |
| 3.2.1 实验过程 | 第46页 |
| 3.2.2 实验结果和分析 | 第46-47页 |
| 3.3 场板结构的应用 | 第47-52页 |
| 3.3.1 场板结构的制备工艺 | 第47-48页 |
| 3.3.2 测试方法 | 第48页 |
| 3.3.3 实验结果和分析 | 第48-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第四章 论文工作总结与展望 | 第55-57页 |
| 4.1 主要结论 | 第55页 |
| 4.2 研究展望 | 第55-57页 |
| 论文发表情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |