基于双轴张应变的双异质结边缘发射锗激光器的模型研究与性能优化
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第14页 |
| 1.2 锗激光器的研究现状 | 第14-20页 |
| 1.2.1 光激励式锗激光器 | 第15-16页 |
| 1.2.2 电激励式锗激光器 | 第16-20页 |
| 1.3 锗激光器模型的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.4 主要研究内容及论文结构 | 第21-22页 |
| 1.5 本章小结 | 第22-24页 |
| 第二章 锗激光器发光机制及建模 | 第24-53页 |
| 2.1 锗能带结构的调制 | 第24-32页 |
| 2.1.1 双轴张应变对锗能带结构的调制 | 第25-28页 |
| 2.1.2 双轴张应变的几种制备方法 | 第28-29页 |
| 2.1.3 N型掺杂研究 | 第29-32页 |
| 2.2 锗激光器的建模 | 第32-52页 |
| 2.2.1 光增益媒质的发光机制 | 第33-35页 |
| 2.2.2 锗激光器的建模 | 第35-42页 |
| 2.2.3 锗激光器的模型验证 | 第42-43页 |
| 2.2.4 锗激光器光学性能分析 | 第43-52页 |
| 2.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第三章 光腔结构尺寸对锗激光器工作性能的影响 | 第53-69页 |
| 3.1 锗激光器光腔尺寸优化 | 第53-64页 |
| 3.1.1 光腔长度尺寸的优化 | 第53-56页 |
| 3.1.2 光腔厚度尺寸的优化 | 第56-59页 |
| 3.1.3 光腔宽度尺寸的优化 | 第59-62页 |
| 3.1.4 多晶硅覆盖层厚度尺寸的优化 | 第62-64页 |
| 3.2 少数载流子寿命对锗激光器工作性能的影响 | 第64-68页 |
| 3.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 双轴张应变对锗激光器工作性能的影响 | 第69-79页 |
| 4.1 双轴张应变对锗光增益的影响 | 第69-70页 |
| 4.2 双轴张应变对锗激光器阈值电流密度的影响 | 第70-75页 |
| 4.3 双轴张应变对锗激光器工作效率的影响 | 第75页 |
| 4.4 双轴张应变对锗激光器结构优化的影响 | 第75-78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 锗激光器的温度效应 | 第79-104页 |
| 引言 | 第79页 |
| 5.1 锗激光器的温度模型 | 第79-91页 |
| 5.1.1 锗的带隙宽度与温度的关系 | 第81-82页 |
| 5.1.2 载流子有效质量与温度的关系 | 第82-83页 |
| 5.1.3 锗、硅的折射率与温度的关系 | 第83-85页 |
| 5.1.4 锗载流子迁移率与温度的关系 | 第85-88页 |
| 5.1.5 载流子饱和速度与温度的关系 | 第88页 |
| 5.1.6 双轴张应变与温度的关系 | 第88-89页 |
| 5.1.7 少数载流子寿命与温度的关系 | 第89-91页 |
| 5.2 锗辐射复合率的温度效应 | 第91-92页 |
| 5.3 锗光增益的温度效应 | 第92-96页 |
| 5.4 锗激光器阈值条件的温度效应 | 第96-99页 |
| 5.5 光腔结构尺寸优化后锗激光器的温度效应 | 第99-103页 |
| 5.6 本章小结 | 第103-104页 |
| 结论 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-116页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 附件 | 第118页 |
