| 摘要 | 第4-9页 |
| Abstract | 第9-14页 |
| 第一章 绪论 | 第19-55页 |
| 1.1 原子层沉积技术介绍 | 第19-26页 |
| 1.1.1 原子层沉积技术的原理与特点 | 第20-22页 |
| 1.1.2 等离子体增强原子层沉积技术及其特点 | 第22-24页 |
| 1.1.3 分子层沉积简介 | 第24-26页 |
| 1.2 原子层沉积在微电子领域的应用 | 第26-34页 |
| 1.2.1 微电子技术的发展现状 | 第26-27页 |
| 1.2.2 新型半导体材料及其研究进展 | 第27-34页 |
| 1.3 原子层沉积技术在能源领域的应用 | 第34-39页 |
| 1.3.1 电极材料的表面修饰 | 第34-36页 |
| 1.3.2 锂离子电池材料的ALD合成 | 第36-39页 |
| 1.4 本论文的研究目的和主要内容 | 第39-42页 |
| 参考文献 | 第42-55页 |
| 第二章 材料制备与表征方法 | 第55-69页 |
| 2.1 原子层沉积系统简介 | 第55-59页 |
| 2.2 薄膜表面和界面结构的表征方法 | 第59-61页 |
| 2.3 电学性能测试分析方法 | 第61-66页 |
| 2.4 电化学表征手段 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第三章 原子层沉积栅介质材料与高迁移率GaAs/Ge半导体的界面结构及其电学性能研究 | 第69-97页 |
| 3.1 引言 | 第69页 |
| 3.2 高k栅介质/GaAs-MOS器件的界面结构及电学性能研究 | 第69-82页 |
| 3.2.1 金属前驱体对GaAs沉积的联合自清洁效应 | 第70-76页 |
| 3.2.2 引入AlN界面钝化层对HfO_2/GaAs性能的影响 | 第76-82页 |
| 3.3 高k栅介质/Ge半导体的界面结构及其电学性能研究 | 第82-92页 |
| 3.3.1 原位氨气等离子体预处理对HfO_2/Ge性能的影响 | 第82-89页 |
| 3.3.2 PEALD SiO_2界面钝化层对HfO_2/Ge性能的影响 | 第89-92页 |
| 3.4 本章小结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 第四章 石墨烯基Al_2O_3栅介质的ALD生长及其顶栅FET器件阵列制备研究 | 第97-120页 |
| 4.1 引言 | 第97-98页 |
| 4.2 石墨烯上ALD沉积Al_2O_3栅介质的研究 | 第98-105页 |
| 4.2.1 石墨烯的制备与表面预处理 | 第98-100页 |
| 4.2.2 物理吸附水对石墨烯上ALD沉积Al_2O_3的影响 | 第100-105页 |
| 4.3 基于可转移ALD栅介质薄膜的石墨烯顶栅FET阵列的制备工艺与性能研究 | 第105-112页 |
| 4.3.1 ALD栅介质薄膜的转移工艺 | 第105-108页 |
| 4.3.2 基于可转移ALD栅介质薄膜石墨烯顶栅FET的制备与性能表征 | 第108-112页 |
| 4.4 二维TMDs材料HfS_2的ALD生长研究 | 第112-116页 |
| 4.5 本章小结 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-120页 |
| 第五章 钛基-富马酸杂化薄膜的MLD生长及其在电荷俘获型存储器和储能器件中的应用 | 第120-148页 |
| 5.1 引言 | 第120页 |
| 5.2 钛基-富马酸杂化薄膜的生长工艺与机制研究 | 第120-129页 |
| 5.2.1 钛基-富马酸杂化薄膜的生长工艺研究 | 第120-122页 |
| 5.2.2 钛基-富马酸杂化薄膜的MLD生长机制 | 第122-129页 |
| 5.3 钛基-富马酸杂化薄膜的稳定性研究 | 第129-134页 |
| 5.3.1 钛基-富马酸杂化薄膜在化学溶剂和空气中的稳定性 | 第129-131页 |
| 5.3.2 钛基-富马酸杂化薄膜的热稳定性研究 | 第131-133页 |
| 5.3.3 钛基-富马酸杂化薄膜的溅射分解 | 第133-134页 |
| 5.4 钛基-富马酸杂化薄膜作为电荷存储层在电荷俘获型存储器中的应用研究 | 第134-138页 |
| 5.5 基于钛基-富马酸杂化薄膜的多孔TiO_2在储能领域的应用研究 | 第138-143页 |
| 5.5.1 多孔TiO_2超级电容器的电化学性能研究 | 第138-142页 |
| 5.5.2 多孔TiO_2负极的锂离子电池性能研究 | 第142-143页 |
| 5.6 本章小结 | 第143-146页 |
| 参考文献 | 第146-148页 |
| 第六章 ALD技术对锂电池中金属锂负极的保护研究 | 第148-167页 |
| 6.1 引言 | 第148-149页 |
| 6.2 ALD沉积Li_xAl_yS固态电解质保护锂金属负极 | 第149-158页 |
| 6.2.1 Li_xAl_yS固态电解质的ALD沉积研究 | 第149-154页 |
| 6.2.2 Lix_Al_yS固态电解质对金属锂负极的保护作用 | 第154-158页 |
| 6.3 悬浮氧化物薄膜对锂金属负极的保护研究 | 第158-163页 |
| 6.3.1 悬浮氧化物薄膜/铜箔结构的制备与表征 | 第158-159页 |
| 6.3.2 悬浮氧化物薄膜对金属锂的保护研究 | 第159-163页 |
| 6.4 本章小结 | 第163-165页 |
| 参考文献 | 第165-167页 |
| 第七章 ALD技术制备表面增强拉曼散射基底的研究 | 第167-182页 |
| 7.1 引言 | 第167-168页 |
| 7.2 间隙可控的Au NPs/纳米间隙/Au NPs基底的SERS效应研究 | 第168-175页 |
| 7.2.1 Au NPs/纳米间隙/Au NPs结构的制备与表征 | 第168-170页 |
| 7.2.2 Au NPs/纳米间隙/Au NPs基底对亚甲基蓝分子的SERS效应 | 第170-173页 |
| 7.2.3 Au NPs/纳米间隙/Au NPs基底的有限时域差分计算模拟 | 第173-175页 |
| 7.3 Ir纳米颗粒/ZnO纳米线复合结构的表面增强拉曼效应研究 | 第175-178页 |
| 7.4 本章小结 | 第178-180页 |
| 参考文献 | 第180-182页 |
| 第八章 结论与展望 | 第182-188页 |
| 8.1 结论 | 第182-186页 |
| 8.2 未来工作展望 | 第186-188页 |
| Publication list | 第188-193页 |
| 致谢 | 第193-194页 |
