| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 本文的国内外研究现状及意义 | 第9-20页 |
| 1.1.1 显示器件的研究进展 | 第10-11页 |
| 1.1.2 基于相变材料的显示器件的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.1.3 显示器件用背光源的研究进展 | 第12-20页 |
| 1.2 本文的主要内容 | 第20-23页 |
| 第二章 相变薄膜显示器件的光学计算理论及方法 | 第23-33页 |
| 2.1 相变材料 | 第23-25页 |
| 2.2 基于相变材料的显示器件 | 第25-26页 |
| 2.3 器件的结构类型 | 第26-28页 |
| 2.4 显示器件的光学特性传输矩阵的计算 | 第28-33页 |
| 2.4.1 菲涅尔系数矩阵法 | 第28-30页 |
| 2.4.2 传输矩阵法 | 第30-33页 |
| 第三章 基于相变材料的显示器件光学性质的研究 | 第33-45页 |
| 3.1 基于相变材料的反射型显示器件光学性质的研究 | 第33-39页 |
| 3.1.1 GST的状态变化及IT0层的厚度对显示器件的光学性质的影响 | 第33-36页 |
| 3.1.2 GST层的厚度对显示器件光学性质的影响 | 第36-39页 |
| 3.2 基于相变材料的透射型显示器件光学性质的研究 | 第39-43页 |
| 3.2.1 GST的厚度及状态变化对显示器件光学性质的影响 | 第39-41页 |
| 3.2.2 透射型器件的吸收率的变化率和透射率的变化率的比较 | 第41-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 新型薄层面光源用荧光片光学性质研究 | 第45-69页 |
| 4.1 静电纺丝工艺 | 第45-52页 |
| 4.1.1 静电纺丝的实验装置及原理一 | 第45-47页 |
| 4.1.2 静电纺丝工艺的影响因素及该工艺的优缺点 | 第47页 |
| 4.1.3 静电纺丝工艺的最优参数 | 第47-52页 |
| 4.2 静电纺丝工艺制备的LED远程荧光片及光学性能分析 | 第52-66页 |
| 4.2.1 实验所需用品和测试设备 | 第52-53页 |
| 4.2.2 黄色荧光片的制备与光学性能分析 | 第53-62页 |
| 4.2.3 红色荧光片的制备与光学性能分析 | 第62-66页 |
| 4.3 本章小结 | 第66-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 总结 | 第69-70页 |
| 5.2 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
