| 摘要 | 第7-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-60页 |
| 1.1 拓扑绝缘体基本概念及拓扑绝缘体材料 | 第14-35页 |
| 1.1.1 拓扑绝缘体相关概念简要回顾 | 第14-18页 |
| 1.1.2 拓扑表面态的性质 | 第18-30页 |
| 1.1.3 拓扑绝缘体材料 | 第30-35页 |
| 1.2 磁性拓扑绝缘体及其磁性拓扑绝缘体材料 | 第35-43页 |
| 1.2.1 磁性拓扑绝缘体 | 第35-38页 |
| 1.2.2 磁性拓扑绝缘体材料及QAHE的实现 | 第38-43页 |
| 1.3 其他拓扑相 | 第43-46页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-60页 |
| 第二章 熔融法生长三维拓扑绝缘体单晶 | 第60-78页 |
| 2.1 设备介绍 | 第60-62页 |
| 2.2 晶体生长过程 | 第62-63页 |
| 2.3 输运测量 | 第63-66页 |
| 2.4 Bi_2Te_3的SDH分析 | 第66-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 第三章 时效处理铜掺杂碲化铋的拓扑输运以及原子扩散——隧穿——团簇的动力学过程研究 | 第78-108页 |
| 3.1 研究背景 | 第78-79页 |
| 3.2 样品制备、以及结构和成分表征 | 第79-82页 |
| 3.3 时效处理之前的输运测量 | 第82-84页 |
| 3.4 时效处理之后Cu_xBi_2Te_3样品的初步输运测量 | 第84-85页 |
| 3.5 时效处理后Cu_(0.15)Bi_2Te_3样品的全面输运测量分析 | 第85-93页 |
| 3.5.1 Cu_(0.15)Bi_2Te_3样品的温度电阻和迁移率测量 | 第85-86页 |
| 3.5.2 输运的二维性验证 | 第86-90页 |
| 3.5.3 二维表面态的拓扑性验证 | 第90-93页 |
| 3.6 Cu_(0.15)Bi_2Te_3时效处理过程中铜原子扩散—遂穿—团簇的动力学过程 | 第93-95页 |
| 3.6.1 拓扑表面态的STM表征 | 第93-95页 |
| 3.7 第一性原理密度泛函模拟时效处理过程 | 第95-99页 |
| 3.8 关于Cu_(0.15)Bi_2Te_3时效处理的一点讨论 | 第99-103页 |
| 参考文献 | 第103-108页 |
| 第四章 钐掺杂硒化铋产生高迁移率的磁性拓扑绝缘体及其磁相互作用研究 | 第108-133页 |
| 4.1 研究背景 | 第108-110页 |
| 4.2 样品的制备和成分表征 | 第110-112页 |
| 4.3 结构和Sm价态的表征 | 第112-115页 |
| 4.4 (Sm_xBi_(1-x))_2Se_3的磁性表征 | 第115-116页 |
| 4.5 (Sm_xBi_(1-x))_2Se_3的XMCD表征 | 第116-122页 |
| 4.6 (Sm_xBi_(1-x))_2Se_3的磁相互作用机制 | 第122-125页 |
| 4.7 (Sm_xBi_(1-x))_2Se_3的第一性原理计算 | 第125-128页 |
| 参考文献 | 第128-133页 |
| 第五章 总结和展望 | 第133-141页 |
| 5.1 工作总结和问题 | 第133-136页 |
| 5.2 展望 | 第136-138页 |
| 参考文献 | 第138-141页 |
| 攻读博士学位期间发表和待发表的学术论文 | 第141-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
