| 摘要 | 第6-10页 |
| Abstract | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第16-36页 |
| 1.1 引言 | 第16-17页 |
| 1.2 光伏材料与器件简介 | 第17-22页 |
| 1.2.1 光伏材料发展概况 | 第17-19页 |
| 1.2.2 光伏器件工作原理及性能参数影响因素 | 第19-22页 |
| 1.3 Cu_2FeSnS(Se)_4材料起源与研究现状 | 第22-24页 |
| 1.4 本论文中薄膜制备与表征手段简介 | 第24-28页 |
| 1.4.1 薄膜制备 | 第25-26页 |
| 1.4.2 薄膜与电池特性表征手段 | 第26-28页 |
| 1.5 本论文主要研究内容以及创新点 | 第28-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 第二章 Cu-Fe-Sn-S体系材料薄膜制备与第一性原理计算 | 第36-76页 |
| 2.1 Cu_2FeSnS_4薄膜的制备 | 第36-49页 |
| 2.1.1 磁控溅射法制备Cu_2FeSnS_4薄膜 | 第36-44页 |
| 2.1.2 Sol-gel法制备Cu_2FeSnS_4薄膜 | 第44-49页 |
| 2.2 硒化工艺在Cu_2FeSnS_4薄膜制备中的应用 | 第49-62页 |
| 2.2.1 硒化温度影响Cu_2FeSnS_4薄膜结构、组分以及形貌 | 第49-57页 |
| 2.2.2 Cu_2FeSnS_4微结构与光学性质对升温速率依赖性研究 | 第57-62页 |
| 2.3 Cu_2FeSnS(Se)_4第一性原理计算 | 第62-68页 |
| 2.3.1 Cu_2FeSnS_4能带结构计算 | 第62-65页 |
| 2.3.2 Cu_2FeSnS_4能带结构计算 | 第65-68页 |
| 2.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 第三章 Cu_2FeSnS(Se)_4薄膜结构特性研究 | 第76-112页 |
| 3.1 Cu-Fe-Sn-S材料薄膜生长机理探讨 | 第76-82页 |
| 3.2 Cu-Fe-Sn-S结构相变探究 | 第82-87页 |
| 3.3 Cu-Fe-Sn-S薄膜应力与位错密度计算 | 第87-94页 |
| 3.4 Cu-Fe-Sn-S晶向生长取向控制与键长经验公式优化 | 第94-103页 |
| 3.5 本章小结 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-112页 |
| 第四章 Cu-Fe-Sn-S五元半导体材料Cu_2(Fe,Zn)SnS_4及Cu_2FeSnS(Se)_4特性探究 | 第112-136页 |
| 4.1 溶胶凝胶法制备五元半导体材料 | 第112页 |
| 4.2 不同Zn~(2+)浓度掺杂对Cu_2FeSnS_4薄膜性质影响 | 第112-122页 |
| 4.2.1 Zn~+掺杂诱导结构相变 | 第114-119页 |
| 4.2.2 不同Zn~+浓度下薄膜形貌研究 | 第119-120页 |
| 4.2.3 Zn/Fe替代下的能带重组 | 第120-122页 |
| 4.3 Se元素引入对Cu_2FeSnS_4薄膜性质影响 | 第122-131页 |
| 4.3.1 不同S/Se比例下薄膜的微结构分析 | 第124-129页 |
| 4.3.2 S/Se比例与能带结构关系分析 | 第129-131页 |
| 4.4 本章小结 | 第131-132页 |
| 参考文献 | 第132-136页 |
| 第五章 Cu-Fe-Sn-S薄膜光伏器件的制备与优化 | 第136-160页 |
| 5.1 引言 | 第136-137页 |
| 5.2 磁控溅射法制备Mo背电极 | 第137-140页 |
| 5.3 水浴法制备CdS | 第140-142页 |
| 5.4 磁控溅射法制备窗口层材料 | 第142-151页 |
| 5.4.1 本征氧化锌(i-ZnO)的制备与优化 | 第142-145页 |
| 5.4.2 掺铝氧化锌(Al:ZnO)的制备与优化 | 第145-151页 |
| 5.5 Cu-Fe-Sn-S薄膜太阳能制备 | 第151-155页 |
| 5.5.1 基于磁控法制备Cu-Fe-Sn-S光伏器件 | 第152-154页 |
| 5.5.2 溶胶凝胶法制备Cu-Fe-Sn-S光伏器件 | 第154-155页 |
| 5.6 本章小结 | 第155-157页 |
| 参考文献 | 第157-160页 |
| 第六章 总结与展望 | 第160-164页 |
| 附录Ⅰ 攻读博士学位期间科研成果清单 | 第164-168页 |
| 附录Ⅱ 致谢 | 第168-169页 |
