基于硼锗共掺上包层的阵列波导光栅波分复用器件研制
| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| ·波分复用技术概述 | 第10-11页 |
| ·WDM技术优点 | 第10-11页 |
| ·WDM技术前景 | 第11页 |
| ·WDM器件 | 第11-17页 |
| ·分离型波分复用器 | 第12-14页 |
| ·集成型波分复用器 | 第14-16页 |
| ·各种WDM器件的比较 | 第16-17页 |
| ·硅基二氧化硅AWG | 第17-18页 |
| ·本论文主要内容 | 第18-20页 |
| 第2章 阵列波导光栅基本原理 | 第20-28页 |
| ·AWG的工作原理 | 第20-23页 |
| ·光栅方程 | 第21-22页 |
| ·自由光谱范围 | 第22页 |
| ·偏振特性 | 第22-23页 |
| ·色散特性 | 第23页 |
| ·AWG性能指标估算方法与公式 | 第23-25页 |
| ·串扰的估算 | 第23-24页 |
| ·频谱的LdB带宽 | 第24页 |
| ·插入损耗及均匀性 | 第24页 |
| ·阵列波导孔径泄漏损耗 | 第24-25页 |
| ·AWG整体设计过程 | 第25-28页 |
| 第3章 硅基二氧化硅波导制作工艺 | 第28-38页 |
| ·波导材料和波导结构 | 第28页 |
| ·平面光波导制作工艺流程 | 第28-38页 |
| ·PECVD薄膜沉积 | 第30-32页 |
| ·光刻工艺 | 第32-35页 |
| ·ICP干法刻蚀 | 第35-37页 |
| ·切割磨抛 | 第37-38页 |
| 第4章 上包层硼锗共掺工艺 | 第38-50页 |
| ·概述 | 第38-39页 |
| ·工艺步骤分析 | 第39-43页 |
| ·实验结果讨论 | 第43-45页 |
| ·工艺特点分析 | 第45-48页 |
| ·总结与讨论 | 第48-50页 |
| 第5章 AWG-TRIPLEXER | 第50-68页 |
| ·概述 | 第50-51页 |
| ·基本原理 | 第51-53页 |
| ·模拟设计 | 第53-59页 |
| ·性能测试 | 第59-66页 |
| ·测试方法 | 第59-60页 |
| ·结果测量 | 第60-66页 |
| ·总结与讨论 | 第66-68页 |
| 第6章 偏振补偿阵列波导光栅 | 第68-80页 |
| ·概述 | 第68-69页 |
| ·基本原理 | 第69-73页 |
| ·模拟设计 | 第73-74页 |
| ·性能测试 | 第74-78页 |
| ·总结与讨论 | 第78-80页 |
| 第7章 总结与展望 | 第80-84页 |
| ·总结 | 第80-81页 |
| ·创新性工作 | 第81页 |
| ·展望 | 第81-84页 |
| 参考文献 | 第84-89页 |
| 个人简历和学术论文成果 | 第89页 |
