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缓蚀剂对铜摩擦电化学性能影响的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第1章 绪论第9-18页
   ·课题来源第9页
   ·课题研究的目的和意义第9-10页
   ·国内外研究现状第10-16页
     ·ULSI 芯片互连技术简介第10-12页
     ·CMP 技术第12-13页
     ·ECMP 技术第13-16页
   ·本课题的主要研究内容第16-18页
第2章 铜ECMP 实验系统及方案第18-33页
   ·系统总体方案设计第18-19页
   ·实验机结构设计第19-21页
   ·实验机运动控制第21-22页
   ·数据采集模块设计第22-25页
     ·采集卡的性能第22页
     ·数据采集程序的编写第22-24页
     ·摩擦力信号的标定第24-25页
   ·电化学信号测量系统第25-28页
     ·三电极体系第26页
     ·线性扫描伏安法第26-28页
     ·计时电流法第28页
   ·缓蚀剂性能评价指标第28-30页
   ·实验方案和实验步骤第30-32页
     ·实验方案第30-31页
     ·实验步骤第31-32页
   ·本章小结第32-33页
第3章 不同缓蚀剂作用下铜的ECMP 实验研究第33-62页
   ·BTA/HEDP 体系中铜的ECMP 研究第33-46页
     ·静态腐蚀实验第33-41页
     ·动态ECMP 实验第41-46页
   ·PTA/HEDP 体系中铜的ECMP 研究第46-51页
     ·静态腐蚀实验第46-48页
     ·动态ECMP 实验第48-51页
   ·5ME-BTA/HEDP 体系中铜的ECMP 研究第51-56页
     ·静态腐蚀实验第51-53页
     ·动态ECMP 实验第53-56页
   ·不同缓蚀剂综合性能分析第56-61页
   ·本章小结第61-62页
第4章 铜ECMP 去除机理研究第62-68页
   ·材料去除模型的建立第62-63页
   ·电化学反应机理分析第63-67页
     ·络合剂第63-64页
     ·缓蚀剂第64-65页
     ·苯并三氮唑类有机物成膜机理第65-67页
   ·本章小结第67-68页
结论及展望第68-69页
参考文献第69-74页
致谢第74页

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