摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第1章 绪论 | 第9-18页 |
·课题来源 | 第9页 |
·课题研究的目的和意义 | 第9-10页 |
·国内外研究现状 | 第10-16页 |
·ULSI 芯片互连技术简介 | 第10-12页 |
·CMP 技术 | 第12-13页 |
·ECMP 技术 | 第13-16页 |
·本课题的主要研究内容 | 第16-18页 |
第2章 铜ECMP 实验系统及方案 | 第18-33页 |
·系统总体方案设计 | 第18-19页 |
·实验机结构设计 | 第19-21页 |
·实验机运动控制 | 第21-22页 |
·数据采集模块设计 | 第22-25页 |
·采集卡的性能 | 第22页 |
·数据采集程序的编写 | 第22-24页 |
·摩擦力信号的标定 | 第24-25页 |
·电化学信号测量系统 | 第25-28页 |
·三电极体系 | 第26页 |
·线性扫描伏安法 | 第26-28页 |
·计时电流法 | 第28页 |
·缓蚀剂性能评价指标 | 第28-30页 |
·实验方案和实验步骤 | 第30-32页 |
·实验方案 | 第30-31页 |
·实验步骤 | 第31-32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
第3章 不同缓蚀剂作用下铜的ECMP 实验研究 | 第33-62页 |
·BTA/HEDP 体系中铜的ECMP 研究 | 第33-46页 |
·静态腐蚀实验 | 第33-41页 |
·动态ECMP 实验 | 第41-46页 |
·PTA/HEDP 体系中铜的ECMP 研究 | 第46-51页 |
·静态腐蚀实验 | 第46-48页 |
·动态ECMP 实验 | 第48-51页 |
·5ME-BTA/HEDP 体系中铜的ECMP 研究 | 第51-56页 |
·静态腐蚀实验 | 第51-53页 |
·动态ECMP 实验 | 第53-56页 |
·不同缓蚀剂综合性能分析 | 第56-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
第4章 铜ECMP 去除机理研究 | 第62-68页 |
·材料去除模型的建立 | 第62-63页 |
·电化学反应机理分析 | 第63-67页 |
·络合剂 | 第63-64页 |
·缓蚀剂 | 第64-65页 |
·苯并三氮唑类有机物成膜机理 | 第65-67页 |
·本章小结 | 第67-68页 |
结论及展望 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-74页 |
致谢 | 第74页 |