| 本论文创新点 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 目录 | 第12-15页 |
| 专业术语缩写 | 第15-16页 |
| 引言 | 第16-17页 |
| 第一章 石墨烯概论 | 第17-44页 |
| ·碳同素异形体的发展 | 第17-18页 |
| ·石墨烯的简介 | 第18-44页 |
| ·石墨烯的发现 | 第18-20页 |
| ·石墨烯晶体结构 | 第20-22页 |
| ·石墨烯的性质 | 第22-28页 |
| ·电学性质 | 第22-24页 |
| ·量子霍尔效应 | 第24-25页 |
| ·机械性能 | 第25-26页 |
| ·光学性能 | 第26-27页 |
| ·热学性能 | 第27-28页 |
| ·石墨烯的表征方法 | 第28-39页 |
| ·拉曼光谱 | 第28-34页 |
| ·光学显微镜 | 第34-35页 |
| ·扫描探针显微镜 | 第35-37页 |
| ·电子显微镜技术 | 第37-39页 |
| ·石墨烯的应用 | 第39-44页 |
| ·场效应管 | 第39-42页 |
| ·光电器件 | 第42-43页 |
| ·传感器 | 第43-44页 |
| 第二章 离子注入及石墨烯制备方法 | 第44-74页 |
| ·离子注入技术发展 | 第44-45页 |
| ·离子与固体相互作用 | 第45-53页 |
| ·阻止本领 | 第45-48页 |
| ·粒子射程和射程分布 | 第48-50页 |
| ·SRIM程序模拟射程分布 | 第50页 |
| ·原子位移和辐照损伤 | 第50-51页 |
| ·沟道效应 | 第51-53页 |
| ·离子注入 | 第53-63页 |
| ·等离子体浸没离子注入(PⅢ) | 第53-54页 |
| ·离子束混合 | 第54-56页 |
| ·团簇离子注入 | 第56-63页 |
| ·团簇离子的形成 | 第56-59页 |
| ·团簇离子辐照的非线性损伤效应 | 第59-63页 |
| ·半导体器件制备中的应用 | 第63-67页 |
| ·半导体掺杂 | 第63-66页 |
| ·超浅结 | 第64页 |
| ·团簇离子束表面清洗和平滑 | 第64-66页 |
| ·高能离子注入 | 第66页 |
| ·制备高级CMOS器件与IC | 第66-67页 |
| ·在器件生产中离子注入问题 | 第67-70页 |
| ·空间电荷效应 | 第68页 |
| ·能量污染 | 第68-69页 |
| ·离子束阴影效应 | 第69-70页 |
| ·离子注入制备石墨烯 | 第70-74页 |
| ·外延生长——热解SiC | 第70页 |
| ·化学气相沉积 | 第70-71页 |
| ·氧化还原法 | 第71页 |
| ·自下而上有机合成法 | 第71页 |
| ·离子注入法 | 第71-74页 |
| 第三章 团簇离子注入制备石墨烯 | 第74-81页 |
| ·引言 | 第74-75页 |
| ·实验细节 | 第75页 |
| ·实验结果分析 | 第75-80页 |
| ·结论 | 第80-81页 |
| 第四章 离子注入在SiO_2/Si上直接形成石墨烯 | 第81-90页 |
| ·引言 | 第81-82页 |
| ·实验细节 | 第82页 |
| ·实验结果分析 | 第82-89页 |
| ·结论 | 第89-90页 |
| 第五章 离子注入SiC降低石墨化温度 | 第90-104页 |
| ·引言 | 第90-92页 |
| ·实验细节 | 第92-93页 |
| ·实验结果分析 | 第93-103页 |
| ·结论 | 第103-104页 |
| 第六章 总结与展望 | 第104-106页 |
| ·主要研究成果 | 第104-105页 |
| ·展望 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-121页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第121-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |