| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| ·锑化物中红半导体外激光器 | 第9-11页 |
| ·锑化物材料 | 第11-16页 |
| ·GaSb材料的性质 | 第12-13页 |
| ·InAs/GaSb超晶格 | 第13-16页 |
| ·分子束外延生长技术 | 第16-21页 |
| ·分子束外延生长 | 第16-17页 |
| ·衬底的选择 | 第17-18页 |
| ·国内外发展现状 | 第18-21页 |
| ·半导体材料的钝化技术 | 第21-24页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 实验方法 | 第25-43页 |
| ·分子束外延生长 | 第25-30页 |
| ·分子束外延生长技术特点 | 第26页 |
| ·分子束外延生长工艺过程 | 第26-28页 |
| ·反射式高能电子衍射仪(RHEED) | 第28-30页 |
| ·材料的测试及表征方法 | 第30-42页 |
| ·原子力显微镜技术(Atomic Force Microscope-AFM) | 第31-33页 |
| ·透射电子显微镜技术(Transmission Electron Microscope-TEM) | 第33-34页 |
| ·双晶X射线衍射谱测量技术(X-Ray Diffraction-XRD) | 第34-37页 |
| ·光致发光谱测量技术(photoluminescence-PL) | 第37-39页 |
| ·材料的电学测试技术 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 GaSb同质外延薄膜的生长及表征 | 第43-58页 |
| ·GaSb同质外延薄膜的生长 | 第43-44页 |
| ·影响薄膜同质外延生长的参数 | 第44-48页 |
| ·生长速率 | 第44-47页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ束流比 | 第47-48页 |
| ·RHEED观测GaSb薄膜生长 | 第48-52页 |
| ·衬底温度对生长的影响 | 第48-51页 |
| ·利用RHEED观测GaSb薄膜生长 | 第51-52页 |
| ·GaSb外延薄膜的特性测试 | 第52-57页 |
| ·GaSb薄膜表面形貌分析 | 第52-54页 |
| ·GaSb薄膜的XRD光谱分析 | 第54-55页 |
| ·GaSb薄膜的PL光谱分析 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 GaSb薄膜的掺杂技术及钝化研究 | 第58-74页 |
| ·霍尔原理及测试技术 | 第58-60页 |
| ·GaSb薄膜层背景载流子浓度测试 | 第60-61页 |
| ·GaSb薄膜的掺杂研究 | 第61-65页 |
| ·生长AlGaAsSb缓冲层 | 第61-63页 |
| ·p型和n型掺杂研究 | 第63-65页 |
| ·GaSb薄膜的钝化技术 | 第65-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 InAs/GaSb超晶格材料的生长及测试表征 | 第74-90页 |
| ·InAs/GaSb超晶格不同结构的生长 | 第74-76页 |
| ·InAs/GaSb结构的界面控制 | 第76-82页 |
| ·InAs/GaSb超晶格结构特性表征 | 第82-86页 |
| ·InAs/GaSb超晶格光谱特性 | 第86-87页 |
| ·InAs/GaSb超晶格TEM表征 | 第87-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 结论 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-98页 |
| 攻读博士期间发表论文 | 第98页 |
