| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-9页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·本论文的主要工作 | 第8-9页 |
| 第二章 锑化物半导体激光器研究进展 | 第9-17页 |
| ·半导体激光器发展历程简介 | 第9-11页 |
| ·锑化物半导体激光器研究进展 | 第11-15页 |
| ·锑化物欧姆接触研究进展 | 第15-17页 |
| 第三章 金属与GaSb材料的接触 | 第17-36页 |
| ·金属半导体接触及其能级特征 | 第17-21页 |
| ·金属和半导体的功函数 | 第17-18页 |
| ·接触电势差 | 第18-20页 |
| ·半导体的表面态对接触势垒的影响 | 第20-21页 |
| ·金属和半导体整流理论 | 第21-30页 |
| ·扩散理论 | 第22-25页 |
| ·热电子发射理论 | 第25-27页 |
| ·半导体中的镜像力和隧道效应 | 第27-29页 |
| ·少数载流子的注入 | 第29-30页 |
| ·GaSb基半导体材料的欧姆接触 | 第30-36页 |
| ·欧姆接触 | 第30-32页 |
| ·GaSb基半导体材料的欧姆接触 | 第32-36页 |
| 第四章 InGaAsSb半导体激光器欧姆接触的实验研究 | 第36-47页 |
| ·欧姆接触设计方案 | 第36页 |
| ·欧姆接触实验设备 | 第36-38页 |
| ·欧姆接触实验过程 | 第38-40页 |
| ·实验结果及分析 | 第40-47页 |
| ·GaSb基欧姆接触表面形貌的分析 | 第40-42页 |
| ·原子间扩散的分析 | 第42-47页 |
| 第五章 结论与展望 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |