| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| ·SOI 技术发展现状 | 第11-15页 |
| ·SOI 功率器件耐压与比导通电阻技术发展现状 | 第15-23页 |
| ·SOI 功率器件的耐压 | 第15-20页 |
| ·横向耐压的提高 | 第15-17页 |
| ·纵向耐压的提高 | 第17-20页 |
| ·SOI 功率器件的比导通电阻 | 第20-23页 |
| ·本论文的主要工作和创新点 | 第23-26页 |
| 第二章 非耗尽浮空层调制电场机理与新器件结构 | 第26-46页 |
| ·引言 | 第26-33页 |
| ·介质场增强原理 | 第28-30页 |
| ·RESURF 原理 | 第30-31页 |
| ·REBULF 原理 | 第31-32页 |
| ·非耗尽浮空层调制电场机理 | 第32-33页 |
| ·非耗尽浮空层 N 型沟道 SOI LDMOS 结构与原理 | 第33-35页 |
| ·非耗尽浮空层 N 型沟道 SOI LDMOS 分析与结果 | 第35-43页 |
| ·非耗尽浮空层 N 型沟道 SOI LDMOS 实验方案 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第三章 等效双倍埋氧层厚度机理与新器件结构 | 第46-59页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·非耗尽电势嵌位层 P 型沟道 SOI LDMOS 结构与原理 | 第47-50页 |
| ·非耗尽电势嵌位层 P 型沟道 SOI LDMOS 分析与结果 | 第50-56页 |
| ·非耗尽电势嵌位层 P 型沟道 SOI LDMOS 实验方案 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 电荷补偿的增强 RESURF 效应 SOI 新器件结构 | 第59-74页 |
| ·引言 | 第59-61页 |
| ·P 型埋层双介质槽 SOI LDMOS 结构与分析 | 第61-67页 |
| ·P 型埋层多介质槽 SOI LDMOS 结构与分析 | 第67-70页 |
| ·P 型埋层多介质槽 SOI LDMOS 实验方案 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 超级高 K SOI 超结新器件结构 | 第74-98页 |
| ·引言 | 第74-77页 |
| ·超结模型 | 第77-80页 |
| ·超级高 K SOI 超结 LDMOS 结构与分析 | 第80-91页 |
| ·实验方案 | 第91-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 第六章 结论与展望 | 第98-100页 |
| ·结论 | 第98-99页 |
| ·下一步工作 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-108页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第108-109页 |
