| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| ·一维材料光电子器件研究进展 | 第10-17页 |
| ·一维纳米结构光检测器 | 第11-15页 |
| ·一维材料电阻开关存储器 | 第15-17页 |
| ·一维材料肖特基势垒光电子器的研究进展 | 第17-19页 |
| ·一维材料肖特基势垒光检测器的研究 | 第17-18页 |
| ·一维材料肖特基势垒阻变存储器件的研究 | 第18-19页 |
| ·目前存在的主要问题 | 第19-20页 |
| ·论文研究思路、目的和主要内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第2章 ZnO 纳米线的制备及其在位电场组装单根ZnO 纳米线 | 第26-34页 |
| ·前言 | 第26页 |
| ·ZnO 纳米线前躯体的合成 | 第26-27页 |
| ·ZnO 纳米线的合成 | 第27-28页 |
| ·纳米线的合成与原型器件的构筑 | 第28-31页 |
| ·单根纳米线光电子器件的构筑方法 | 第28页 |
| ·电场组装ZnO 纳米线 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第3章 ZnO 纳米线紫外光电探测器原型器件的研究 | 第34-48页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·纳米线肖特基势垒紫外检测研究背景 | 第34-35页 |
| ·实验结果讨论 | 第35-43页 |
| ·电流输运性质分析 | 第35-37页 |
| ·光照前后势垒和能带结构分析 | 第37-39页 |
| ·肖特基势垒光检测器灵敏度和光电流增益分析 | 第39页 |
| ·肖特基势垒光检测器回复特性分析 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 第4章 ZnO 纳米线肖特基势垒电阻开关存储器研究 | 第48-68页 |
| ·引言 | 第48-51页 |
| ·阻变存储研究进展 | 第51页 |
| ·电阻开关机制分类 | 第51-56页 |
| ·电学性质表征 | 第56-64页 |
| ·电流-电压回线特征分析 | 第56-57页 |
| ·电阻开关时间分析 | 第57-59页 |
| ·脉冲电压对开关状态的影响 | 第59-60页 |
| ·电阻开关保持特性分析 | 第60-61页 |
| ·开关机理解释 | 第61-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 硕士期间发表和已完成的工作 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
