大功率GaN基多量子阱结构蓝光LED性能优化设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·GaN基LED外延及芯片技术的研究现状 | 第8-11页 |
| ·外延技术的发展 | 第8-10页 |
| ·卤化物汽相外延(HVPE)技术 | 第9页 |
| ·分子束外延技术 | 第9-10页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术 | 第10页 |
| ·芯片技术的发展 | 第10-11页 |
| ·本文研究的背景和内容 | 第11-13页 |
| 参考文献 | 第13-17页 |
| 第二章 理论基础 | 第17-25页 |
| ·量子效应理论 | 第17-19页 |
| ·霍尔效应 | 第19-20页 |
| ·能带理论 | 第20页 |
| ·PN结模型理论 | 第20-21页 |
| ·平衡态PN结势垒 | 第21页 |
| ·PN结的正向注入 | 第21页 |
| ·APSYS软件简介 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-25页 |
| 第三章 LED量子阱结构优化设计 | 第25-39页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·设计模型 | 第25-27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-32页 |
| ·量子阱结构垒中In含量不同 | 第27-28页 |
| ·量子阱结构中垒宽度的不同 | 第28-30页 |
| ·量子阱结构中阱的宽度不同 | 第30-32页 |
| ·量子阱结构垒中掺杂 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第四章 LED电极优化设计 | 第39-51页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·模拟建模 | 第40-41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-44页 |
| ·田字型电极的优化 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文目录 | 第54-55页 |
