| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·硅晶太阳能电池概况 | 第9-11页 |
| ·太阳能电池的能量损失机理 | 第11-12页 |
| ·半导体内抑制电子空穴复合研究的意义 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要内容 | 第13-16页 |
| 第二章 硅晶量子点太阳能电池中电子跃迁研究 | 第16-26页 |
| ·嵌入量子点半导体PN结上双能级电子跃迁 | 第16-19页 |
| ·嵌入量子点半导体PN结上抑制双能级电子空穴复合 | 第19-26页 |
| 第三章 抑制多能级量子点电子空穴对复合研究 | 第26-36页 |
| ·提出多能级量子点模型的想法 | 第26页 |
| ·抑制多能级量子点电子空穴对复合研究过程 | 第26-36页 |
| 第四章 总结与展望 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-44页 |
| 致谢 | 第44-46页 |